吉时利KEITHLEY2420源表应用领域

各种器件的I-V功能测试和特征分析，包括：

• 离散和无源元件

–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻

–三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等

• 简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器

• 集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）

–模拟IC

–射频集成电路（RFIC）

–集成电路（ASIC）

–片上系统（SoC）器件

• 光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器

• 圆片级可靠性

- NBTI、TDDB、HCI、电迁移

• 太阳能电池

• 电池

暂态抑制器件

IC、RFIC、MMIC

激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器

电路保护器件:

TVS、MOV、熔丝

安全气囊

连接器、开关、继电器

碳纳米管

半导体纳米线

碳纳米管 FET

纳米传感器和阵列

单电子晶体管

分子电子

有机电子

基本运放电路

二极管和电路

晶体管电路

测试：

漏流

低压、电阻

LIV

IDDQ

I-V特征分析

隔离与轨迹电阻

温度系数

正向电压、反向击穿、漏电流

直流参数测试

直流电源

HIPOT

介质耐受性

双极结型晶体管设计

结型场效应晶体管设计

金属氧化物半导体场效应晶体管设计

太阳能电池和 LED 设计

高电子迁移率晶体管设计

复合半导体器件设计

分析纳米材料和实验器件

碳纳米管的电测量标准

测量碳纳米管电气特性

提高纳米电子和分子电子器件的低电流测量

在低功率和低压应用中实现准确、可靠的电阻测量

纳米级器件和材料的电气测量

提高超高电阻和电阻率测量的可重复性

一种微分电导的改进测量方法

纳米技术准确电气测量的技术

纳米级材料的电气测量

降低外部误差源影响的仪器技术

迎接65nm节点的测量挑战

测量半导体材料的高电阻率和霍尔电压

用微微微安量程测量电流

栅极电介质电容电压特性分析

评估氧化层的可靠性