3VD579200YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；

较高的雪崩击穿耐量；

优越的开关性能；

该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD260；

封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。