3VD524600SYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；

采用士兰DPMOS工艺平台制造；

较低的导通电阻；

较低的传导损耗和开关损耗；

开关速度快；

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。