SGM950PB8B3TFM是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于混动和纯电动汽车等应用领域，具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级，为严苛环境条件下的逆变器运行，提供更可靠的保障。

主要特点

•  基于精细沟槽的FS-V技术，阻断电压达750V
  

• 低V_CE(sat) 同时具备正温度系数

• 低开关损耗

• 低Qg和Cres

• 采用导热性优良的DBC

• 每相内置NTC
  

• 直接水冷基板，低热阻
  

产品规格分类

产品名称	封装形式	打印名称	环保等级	包装	备注
SGM950PB8B3TFM	B3	SGM950PB8B3TFM	/	纸箱

内部框图

封装外形图

B3