英飞凌科技有限公司(FSE代码:2024年3月14日，德国慕尼黑讯】IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1立式ColSiC™ MOSFET，为了满足工业和汽车功率应用对日益增长的能效和功率密度的需求。该产品系列包括工业级和车辆规则级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）优化拓扑结构。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器）（OBC）、直流-直流转换器等)。
CoolSiC MOSFET 750 V G1技术的特点是优秀的RDS(on) x 优秀RDSQFR和优秀RDS(on) x Qoss优值（FOM），在硬开关和软开关拓扑结构中具有超高效率。其独特的高阈值电压（VGS(th)，典型值为4.3 V）与低QGD/QGS比率相结合，对寄生导通具有高度的稳定性，实现单极栅极驱动，不仅提高了功率密度，而且降低了系统成本。所有半导体器件均采用英飞凌自主芯片连接技术，在相同裸体尺寸下给芯片优异的热阻。高度可靠的栅极氧化层设计和英飞凌的认证标准保证了长期稳定的性能。
全新的CoolSiC MOSFET 750 V 25.G1产品系列°C时RDS(on)为8至140 mΩ，能满足广泛的需求。其传导和开关损耗较低，大大提高了整个系统的效率。创新包装可以更大程度地降低热阻，帮助改善散热，优化电路中的功率环路电感，降低系统成本，同时实现高功率密度。值得一提的是，该产品系列采用先进的QDPAK顶部冷却包装。
供货情况
Coolsic适用于汽车应用 MOSFET 750 V G1采用 QDPAK TSC、D2PAK-7L 和 TO-247-4 包装；适用于工业应用的CoolSiC MOSFET 750 V G1采用QDPAK TSC和TO-247-4封装。
