进入6月，工业存储市场呈现新态势。DDR4行情持续火热，价格涨幅惊人，市场一货难求。三星3nm工艺良率挑战仍存，不少头部厂商推出创新存储解决方案，以满足AI与设备轻薄化需求，由此可见未来竞争将更趋激烈。
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2025.06
行业厂商动态
曝三星3nm工艺良率仍为50%，被台积电90%高良率远远甩开
如此低的产量率，使得三星更难获得大型科技公司的信任。尽管三星在成熟的7nm和8nm节点上正取得进展，据报导还接到了任天堂的订单。谷歌的Tensor G5据说正在将需求转向台积电的3nm，并打算与台积电锁定未来3-5年的合作，涵盖Pixel系列机型，至少直至Pixel 14。
美光12hi HBM3e在CSP的强劲支持下，到8月出货量可能超过8hi
•Micron对12hi HBM3E寄予厚望，认为随着产量的迅速提升，该产品的出货量将超越当前的8hi HBM3e。这得益于其产量的快速提升。
•Micron正迅速缩小与SK hynix的差距。其顶级产品12hi HBM3e已经为NVIDIA的B300提供动力。尽管Micron的整体DRAM产能可能不及SK hynix，但其在尖端10nm级1b工艺上的更高份额使其具有质量优势，特别是在热管理方面，这是HBM的关键因素。
SK hynix开发出基于321层NAND的UFS 4.1解决方案
•随着对设备上AI需求的增加，设备的计算能力和电池效率之间的平衡变得愈发重要，移动市场现在要求移动设备更轻薄且功耗更低。
•最新产品相比基于238层NAND的前代产品，在功耗效率上提升了7%，厚度从1mm减少到0.85mm，以适应超薄智慧手机。
Western Digital和Ingrasys建立长期合作
这两家公司旨在提供一款带有嵌入式存储的新型机架顶部（TOR）交换机，该交换机在网络边缘提供分布式存储，以降低存储访问延迟，减少对独立存储网络的需求，并避免访问集中式存储数组。
Kioxia开始提供企业级CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD样品，容量高达61.44TB
该系列是使用Kioxia的BiCS8 3D TLC闪存内存构建的首款企业级SSD，与前代产品相比，随机写入性能提升了约65%，随机读取性能提升了55%，顺序写入性能提升了95%。此外，在性能/瓦特增益方面，顺序读取效率提高了55%，顺序写入效率提高了75%。
DRAM价格在5月下旬环比上涨20%
DRAM和NAND芯片五月均价上涨，其中8GB DDR4芯片价格较四月上涨了27%。供应减少和需求上升导致企业产品价格攀升。
由于来自中国的竞争加剧，顶级DRAM制造商正在放弃DDR4生产
CXMT和福建金和等公司正在以低于三星、美光和SK海力士翻新内存的价格销售其全新DDR4产品
CXMT宣布将在北京的指示下大约在同一时间停止DDR4生产
企业为规避关税而囤积内存芯片
尤其鉴于特朗普总统宣布对这些进口税实行为期90天的宽限期。这些价格更低的DDR4芯片将用于更实惠的产品，此类产品无法消化或转嫁成本上涨。
2024 – 2025年全球SSD出货量
■ 全球SSD出货量：2024年第四季度全球SSD需求达到全年出货量峰值，但预计2025年上半年出货量仍将维持在高于前期的水平。
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2024 – 2025年闪存供需和价格走势
■ 价格走势：NAND Falsh价格在2024年第四季度跌至低谷，但预计2025年将微幅反弹——主因芯片制造商计划减产（考虑终端需求未显著走强），且受美国关税政策不确定性波及。
■ 满足率：自2024年以来，维持低位供应。
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2024 – 2025年全球内存产量
■ 全球DRAM产量：2024年各应用领域的DRAM产能全面复苏，2025年的总体产量水平预计将保持在2024年季度水平之上。
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2024 – 2025年DDR4内存供需和价格走势
■ 价格走势：8Gb现货价急涨，预计2025年第三季将突破合约价——主因系DDR4持续减产所致。
■ DRAM满足率：2025年全年维持极度紧缺，仅Q1'25为满足年度框架订单小幅扩产。
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供给与价格趋势分析
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