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深圳天元鑫半导体
深圳市天元鑫半导体有限公司 是一家电子元器件混合型IC分销商。我们致力于为原始设备制造商(OEM),原始品牌生产商(OBM),电子产品合约生产商,EMS(Electronics Manufacturing Service)提供商以及方案设计商(Design House)提供全面的电子元器件供应链成本优化解决方案。我们提供的产品和服务涉及电子业的各个领域,其中包括:消费类电子,电脑及其周边设备,通信,工业控制,汽车电子,安防,电源控制,新能源,医疗设备等。我们不仅能为各个领域的客户提供包括:现货采购,物料清单配套,呆滞库存处理,降低采购成本以及其它增值服务。为了更好的服务广大客户,升邦单独组建了一支专业的技术和销售队伍,协同TPOWER和INJIONIC等原厂,在国内的车充、直充、移动电源快充领域,为各个行业的客户提供专业、有效的快充功能模块化解决方案,从新产品研发设计开始,到样产、试产、量产,提供全方位的一站式支持。目前深圳市天元鑫半导体有限公司聚焦帮助传统企业创新转型深度需求,衍生产品价值链,业务涵盖芯片研发、智能产品设计、营销咨询、供应链优化和企业运营等智能产品整体解决方案输出,帮助传统企业由过去粗放式模仿到产品创新升级,高效、实战、落地的企业运管系统快速打通传统企业转型路径,让传统企业走得更快、更稳、更好。升邦立志打造100家细分行业第一名标杆级旗舰式企业。天元鑫依托平台优势,整合全球上下游原厂与客户资源,真正实现了产供销一体化全产业链运营。连接全球顶尖原厂资源和商业智慧,采用独创的“产品方案+培训”模式,帮助传统企业从中国制造走向中国创造。传承互联网营销智慧,引领传统企业深度商业变革,为企业和社会输出更具竞争力和创新力的商战特种兵。
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深圳天元鑫半导体
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Silan 士兰微 SVS11N65FJHE2 超结MOS功率管
SVS11N65FJHE2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS11N65FJHE2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS11NF60DD2 超结MOS功率管
SVS11NF60DD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS11NF60DD2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS5N105FD2 超结MOS功率管
SVS5N105FD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS5N105FD2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R125FE3 超结MOS功率管
SVS60R125FE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R125FE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS65R300FE3 超结MOS功率管
SVS65R300FE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS65R300FE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS70R420D(S)E3 超结MOS功率管
SVS70R420D(S)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS70R420D(S)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 超结MOS功率管
SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS80R800FJH(D)E3 超结MOS功率管
SVS80R800FJH(D)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS80R800FJH(D)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVSP35NF65P7D3 超结MOS功率管
SVSP35NF65P7D3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVSP35NF65P7D3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R160FJDE3 超结MOS功率管
SVS60R160FJDE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R160FJDE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3 超结MOS功率管
SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R280FJDE3 超结MOS功率管
SVS60R280FJDE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R280FJDE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R300DHE3 超结MOS功率管
SVS60R300DHE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R300DHE3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R570F(FJD)(D)E3 超结MOS功率管
SVS60R570F(FJD)(D)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R570F(FJD)(D)E3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 超结MOS功率管
SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVSP60R190L8AE3 超结MOS功率管
SVSP60R190L8AE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVSP60R190L8AE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
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