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深圳兴益伟业科技
深圳市兴益伟业科技有限公司 是一家专业电子元器件供应商,专业生产、销售smd贴片/dip直插电子元器件,主要产品有:电容、电阻、二极管、三极管等产品。产品广泛应用于:移动通信、程控交换机、计算机、家用电器、电动玩具等。 本公司秉承踏实、诚恳的经营态度,本着互惠互利、实现双赢的目标,以“信誉第一、质量第一、用户第一、公平第一、服务第一”五个第一为经营宗旨。 兴益科技可提供样品服务,并愿以优质的产品作纽带,以现货、庞大的库存和优惠价格为保障, 通过强大的市场销售、网络销售向企业提供规范化、专业化、多元化、全方位的优质服務!热诚欢迎海内外新老顾客朋友莅临指导!
  • Silan 士兰微 SVG06100NSA 低压MOS功率管

    SVG06100NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10111NA6 低压MOS功率管

    SVG10111NA6  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10111ND 低压MOS功率管

    SVG10111ND  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10170ND(T) 低压MOS功率管

    SVG10170ND(T)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG105R0NL5 低压MOS功率管

    SVG105R0NL5   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG105R4NT(S) 低压MOS功率管

    SVG105R4NT(S)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG15670NSA 低压MOS功率管

    SVG15670NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVT03380PSA 低压MOS功率管

    SVT03380PSA   P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVT035R5NSA 低压MOS功率管

    SVT035R5NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

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