Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:250 ns |
下降时间:200 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:60 deg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Cut Tape |
封装 / 箱体:5.09 mm x 4 mm x 0.85 mm |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:SFH 2202 |
零件号别名:Q65113A5235 |
Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:93 ns |
下降时间:93 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:65 deg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装:Cut Tape |
峰值波长:930 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:200 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65113A1911 |
Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:95 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:60 deg |
单位重量:43 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65112A6727 |
If - 正向电流:- |
Pd-功率耗散:120 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:6.2 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:12 mg |
响应率:0.65 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:2.8E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:2 mm |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:DIL-SMT-3 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
资格:AEC-Q101 |
长度:2.6 mm |
零件号别名:Q65110A2638 |
高度:1.1 mm |
If - 正向电流:10 mA |
Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:3.6 us |
下降时间:3.5 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:2.3 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:340.595 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:PCB Mount |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:3.2 mm x 2 mm |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65112A8147 |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:50 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:43 mg |
响应率:0.65 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:3.9E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:4 mm |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:DIL-SMT-2 |
峰值波长:880 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
资格:AEC-Q101 |
长度:4.5 mm |
零件号别名:Q65110A3121 |
高度:1.2 mm |
产品种类:光电二极管 |
单位重量:43 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:1500 |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65110A2699 BPW 34 FASR Q65110A2699 |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :32 V |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:80 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:78 mg |
响应率:0.62 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:4.1E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:4 mm |
封装:Tube |
封装 / 箱体:DIL-2 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:Silicon PIN Photodiode |
资格:AEC-Q101 |
长度:4.5 mm |
零件号别名:Q62702P0073 |
高度:2.2 mm |
If - 正向电流:10 mA |
Vr - 反向电压 :5 V |
上升时间:47 ns |
下降时间:67 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:510 nA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:4.400 mg |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:0.017 pW/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:SMD-2 |
峰值波长:535 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65112A7214 |
If - 正向电流:5 mA |
Vr - 反向电压 :5 V |
上升时间:0.12 us |
下降时间:0.12 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:1.5 uA |
半强度角度:60 deg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:SMD-2 |
峰值波长:890 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:5 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:CHIPLED |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65112A4785 |
Vr - 反向电压 :32 V |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:60 deg |
单位重量:43 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65112A1487 |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:90 ns |
下降时间:90 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:60 deg |
单位重量:43 mg |
响应率:0.37 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:0.048 pW/Hz 1/2 |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:DIL-2 |
峰值波长:620 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65111A8524 |
If - 正向电流:80 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:135 uA |
半强度角度:10 deg |
单位重量:400 mg |
响应率:0.62 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.1 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
资格:AEC-Q101 |
长度:5.9 mm |
零件号别名:Q62702P0930 |
高度:9 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:100 uA |
半强度角度:15 deg |
单位重量:0.115 mg |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:4.6 mm |
封装:Cut Tape |
封装 / 箱体:SMR-2 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
长度:5.7 mm |
零件号别名:Q65110A1203 SFH 2505 Q65110A1203 |
高度:7.4 mm |
If - 正向电流:- |
Pd-功率耗散:120 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:6.2 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:12 mg |
响应率:0.65 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:2.8E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:2 mm |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:DIL-SMT-3 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
资格:AEC-Q101 |
长度:2.6 mm |
零件号别名:Q65110A9563 |
高度:1.1 mm |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :32 V |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:50 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:300 mg |
响应率:0.63 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:3.1 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Side Looker |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
资格:AEC-Q101 |
长度:5.1 mm |
零件号别名:Q62702P0273 |
高度:7.2 mm |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:30 mW |
Vr - 反向电压 :30 V |
上升时间:0.01 us |
下降时间:0.01 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:2.7 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:300 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
封装:Cut Tape |
峰值波长:1100 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:50 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65110A3986 |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:0.04 us |
下降时间:0.04 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:60 deg |
单位重量:46 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65112A0249 |
产品种类:光电二极管 |
单位重量:44 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:1500 |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65110A2627 BP 104 FS Q65110A2627 |
If - 正向电流:80 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:90 uA |
半强度角度:10 deg |
单位重量:200 mg |
响应率:0.59 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.1 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
资格:AEC-Q101 |
长度:5.9 mm |
零件号别名:Q62702P1671 |
高度:9 mm |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:0.09 us |
下降时间:0.09 us |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:8 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:46 mg |
响应率:0.37 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:0.048 pW/Hz 1/2 |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:SMD-2 |
峰值波长:620 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65112A0060 |
Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:0.06 us |
下降时间:0.06 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:120 nA |
半强度角度:55 deg |
单位重量:3.800 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:SMD-2 |
峰值波长:580 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:5 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:CHIPLED |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65112A4787 |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:10 ns |
下降时间:10 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:20 uA |
半强度角度:17 deg |
单位重量:200 mg |
响应率:0.6 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:0.65E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:3 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:50 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
资格:AEC-Q101 |
长度:4 mm |
零件号别名:Q62702P0216 |
高度:5.2 mm |
Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:4.6 us |
下降时间:3 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:65 deg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装:Cut Tape |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:250 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65113A4371 |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:0.04 us |
下降时间:0.04 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:8 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:150 mg |
响应率:0.7 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:0.026 pW/Hz 1/2 |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:SMD-2 |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65112A0250 |
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