If - 正向电流:1 mA |
Pd-功率耗散:1 mW |
Vr - 反向电压 :- |
上升时间:300 ps |
下降时间:300 ps |
产品:Avalanche Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
响应率:50 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.5 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:800 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:50 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 20 C |
湿度敏感性:Yes |
长度:4 mm |
高度:1.42 mm |
Vr - 反向电压 :30 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
峰值波长:950 nm |
暗电流:10 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 25 C |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
响应率:0.4 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:8.26 mm |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Bulk |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:50 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:8.26 mm |
高度:4.1 mm |
Pd-功率耗散:50 mW |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:2 us |
下降时间:2 us |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:20 uA |
半强度角度:130 deg |
响应率:0.45 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:3 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:10 nA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 20 C |
湿度敏感性:Yes |
长度:3 mm |
高度:2.95 mm |
If - 正向电流:1 mA |
Pd-功率耗散:1 mW |
上升时间:600 ps |
下降时间:600 ps |
产品:Avalanche Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
响应率:55 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:905 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:200 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 20 C |
湿度敏感性:Yes |
长度:3 mm |
高度:1.22 mm |
If - 正向电流:1 mA |
Pd-功率耗散:1 mW |
上升时间:300 ps |
下降时间:300 ps |
产品:Avalanche Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
响应率:50 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.5 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:800 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 20 C |
湿度敏感性:Yes |
长度:4 mm |
高度:1.42 mm |
If - 正向电流:1 mA |
Pd-功率耗散:1 mW |
上升时间:600 ps |
下降时间:600 ps |
产品:Avalanche Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
响应率:55 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.5 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:905 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:200 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 20 C |
湿度敏感性:Yes |
长度:4 mm |
高度:1.42 mm |
Vr - 反向电压 :1 V |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 |
响应率:1.24 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-46-3 |
峰值波长:600 nm to 1750 nm |
工厂包装数量:25 |
暗电流:105 uA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :3 V |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 |
响应率:0.7 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Tray |
峰值波长:600 nm to 1750 nm |
工厂包装数量:25 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
Vr - 反向电压 :3 V |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 |
响应率:0.74 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-46-3 |
峰值波长:600 nm to 1750 nm |
工厂包装数量:25 |
暗电流:9.3 nA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :1 V |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 |
响应率:1.24 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-39-2 |
峰值波长:800 nm to 2600 nm |
工厂包装数量:10 |
暗电流:350 uA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :3 V |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 |
响应率:1.24 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-46-3 |
峰值波长:2600 nm |
工厂包装数量:25 |
暗电流:300 uA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
If - 正向电流:1 mA |
Pd-功率耗散:1 mW |
Vr - 反向电压 :- |
上升时间:600 ps |
下降时间:600 ps |
产品:Avalanche Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
响应率:55 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.5 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:905 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:400 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 20 C |
湿度敏感性:Yes |
长度:4 mm |
高度:1.42 mm |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
响应率:0.38 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:8.26 mm |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Bulk |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:10 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:8.26 mm |
高度:4.11 mm |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
响应率:0.4 A/W, 0.6 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:8.26 mm |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Bulk |
峰值波长:950 nm, 1590 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:100 pA, 500 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:8.26 mm |
高度:4.11 mm |
If - 正向电流:1 mA |
Pd-功率耗散:1 mW |
上升时间:300 ps |
下降时间:300 ps |
产品:Avalanche Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
响应率:50 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:800 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 20 C |
湿度敏感性:Yes |
长度:3 mm |
高度:1.22 mm |
Vr - 反向电压 :3 V |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 |
响应率:1.24 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-46-3 |
峰值波长:2600 nm |
工厂包装数量:25 |
暗电流:300 uA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :- |
上升时间:300 ps |
下降时间:300 ps |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:5 uA |
半强度角度:- |
发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 |
响应率:0.46 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:3 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:1750 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:1 uA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 20 C |
湿度敏感性:Yes |
长度:3 mm |
高度:4 mm |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 |
响应率:1.24 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-39-3 |
峰值波长:800 nm to 2600 nm |
工厂包装数量:25 |
暗电流:100 uA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :1 V |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 |
响应率:1.24 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Tray |
峰值波长:800 nm to 2600 nm |
工厂包装数量:25 |
暗电流:43 uA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
Vr - 反向电压 :1 V |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 |
响应率:1.24 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-39-3 |
峰值波长:800 nm to 2600 nm |
工厂包装数量:10 |
暗电流:770 uA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
响应率:0.6 A/W |
商标:Marktech Optoelectronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:8.13 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:500 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:8.13 mm |
高度:3.03 mm |
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