If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:300 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :10 V |
上升时间:3.1 us |
下降时间:3 us |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:9 uA |
半强度角度:50 deg |
单位重量:4.675 g |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:9.1 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-5 |
峰值波长:565 nm |
工厂包装数量:500 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 55 C |
长度:9.1 mm |
高度:3.1 mm |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:70 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:5.058 g |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:4.3 mm |
封装:Tube |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:1800 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:4.5 mm |
高度:2 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:55 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:202.650 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.9 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
长度:6.4 mm |
高度:1.2 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:17 uA |
半强度角度:20 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:3 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:5000 |
暗电流:150 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:Silicon PIN Photodiode |
长度:3.2 mm |
零件号别名:VSLB3940 TSUS4300 TSAL4400 |
高度:4.5 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:30 ns |
下降时间:30 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:8.5 uA |
半强度角度:60 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:840 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:35 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:504.492 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.9 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
长度:6.4 mm |
高度:1.2 mm |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:60 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4 x 10-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Reel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:5000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
系列:VEM |
Pd-功率耗散:240 mW |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:30 ns |
下降时间:30 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:65 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Reel |
峰值波长:840 nm |
工厂包装数量:5000 |
暗电流:200 pA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
系列:VEM |
If - 正向电流:50 mA |
Vr - 反向电压 :6 V |
上升时间:70 ns |
下降时间:70 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Cut Tape |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:4000 |
暗电流:30 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
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