If - 正向电流:1 mA |
Pd-功率耗散:100 mW |
Vf - 正向电压:1.2 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:35 uA |
半强度角度:- |
单位重量:199.191 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:3.18 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1-2 |
峰值波长:935 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:PIN Silicon Photodiode |
长度:4.06 mm |
高度:4.83 mm |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:2 ns |
下降时间:- |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
单位重量:17.050 g |
响应率:0.55 A/W |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:10.41 mm |
封装:Tray |
峰值波长:800 nm |
工厂包装数量:75 |
暗电流:500 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:12.7 mm |
高度:20.57 mm |
If - 正向电流:1 mA |
Pd-功率耗散:100 mW |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:15 uA |
半强度角度:- |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.27 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4-2 |
峰值波长:890 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:PIN Silicon Photodiode |
长度:6.22 mm |
高度:8.89 mm |
Pd-功率耗散:200 mW |
Vr - 反向电压 :100 V |
上升时间:2 ns |
下降时间:- |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:80 deg |
单位重量:3.198 g |
响应率:0.55 A/W |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:4.7 mm |
封装:Tray |
封装 / 箱体:TO-46-3 |
峰值波长:905 nm |
工厂包装数量:200 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 55 C |
类型:Fiber Optic High Speed PIN Photodiode |
长度:5.59 mm |
高度:3.33 mm |
Pd-功率耗散:200 mW |
Vr - 反向电压 :100 V |
上升时间:6 ns |
下降时间:- |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:80 deg |
单位重量:2.338 g |
响应率:0.55 A/W |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.44 mm |
封装:Tray |
封装 / 箱体:TO-46-3 |
峰值波长:905 nm |
工厂包装数量:100 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 55 C |
类型:Silicon PIN Photodiode |
长度:5.44 mm |
高度:3.2 mm |
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