If - 正向电流:1 mA |
Pd-功率耗散:100 mW |
Vf - 正向电压:1.2 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:18 uA |
半强度角度:- |
单位重量:715.250 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:2.54 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Side Looker |
峰值波长:935 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:PIN Silicon Photodiode |
长度:4.57 mm |
高度:5.84 mm |
If - 正向电流:1 mA |
Pd-功率耗散:100 mW |
Vf - 正向电压:1.2 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:32 uA |
半强度角度:- |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:3.18 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1-2 |
峰值波长:935 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:PIN Silicon Photodiode |
长度:4.06 mm |
高度:4.83 mm |
Pd-功率耗散:200 mW |
Vr - 反向电压 :100 V |
上升时间:6 ns |
下降时间:- |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
响应率:0.55 A/W |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:10.41 mm |
封装:Tray |
峰值波长:905 nm |
工厂包装数量:100 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:Fiber Optic PIN Photodiode |
长度:12.7 mm |
高度:20.57 mm |
Vr - 反向电压 :35 V |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Quad Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
单位重量:4.768 g |
响应率:0.45 A/W |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:7.75 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:890 nm |
工厂包装数量:150 |
暗电流:30 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 55 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Surface Mount Quad Photodiode |
系列:OPR5925 |
长度:7.75 mm |
高度:1.47 mm |
Vr - 反向电压 :14 V |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Quad Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
单位重量:8.829 g |
响应率:0.45 A/W |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:7.75 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:256 |
暗电流:30 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 55 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Surface Mount Quad Photodiode |
长度:7.75 mm |
高度:1.47 mm |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Photodiode Arrays |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
单位重量:3.698 g |
响应率:0.45 A/W |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:10.39 mm |
封装:Tube |
峰值波长:890 nm |
工厂包装数量:200 |
暗电流:10 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 55 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:OPB2100 |
长度:11.4 mm |
高度:1.47 mm |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vr - 反向电压 :32 V |
上升时间:50 ns |
下降时间:50 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:120 uA |
半强度角度:10 deg |
响应率:0.6 A/W |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:8.51 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-05-2 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:500 |
暗电流:25 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 65 C |
类型:PIN Silicon Photodiode |
长度:9.4 mm |
高度:6.86 mm |
Pd-功率耗散:50 mW |
Vr - 反向电压 :100 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:14 uA |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:1.57 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Pill |
工厂包装数量:400 |
暗电流:10 nA |
最大工作温度:+ 150 C |
最小工作温度:- 65 C |
长度:2.34 mm |
高度:2.92 mm |
Pd-功率耗散:200 mW |
Vr - 反向电压 :100 V |
上升时间:6 ns |
下降时间:- |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
单位重量:19.187 g |
响应率:0.55 A/W |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:10.41 mm |
封装:Tray |
峰值波长:905 nm |
工厂包装数量:200 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:12.7 mm |
高度:20.57 mm |
产品种类:光电二极管 |
商标:Optek / TT Electronics |
封装:Reel |
工厂包装数量:1000 |
系列:OPR591x |
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