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Vishay 威世
Vishay Intertechnology,Inc. 是美国分立半导体和无源电子元件的制造商,由波兰裔商人Felix Zandman创立。Vishay在以色列,亚洲,欧洲和美洲都有制造工厂,在这些工厂中生产整流器,二极管,MOSFET,光电,选定的集成电路,电阻器,电容器和电感器。Vishay Intertechnology,2018年收入为30.35亿美元。截至2018年12月31日,Vishay Intertechnology有约24,100名全职员工。Vishay是世界上最重要的功率MOSFET制造商之一。它们广泛应用在电力电子行业,包括便携式信息设备,互联网通信基础设施, 电力集成电路,手机和笔记本计算机。历史Vishay Intertechnology由波兰出生的Felix Zandman博士于1962年创立。公司以一项拥有两项产品线的专利技术开始运营:箔电阻器和箔电阻应变仪。1985年,公司从一家新兴公司成长为全球领先制造商,并开始了一系列的收购行动,成为了一家广泛的电子元件制造商。Vishay已扩展到非常多的产品线,于2009年10月宣布将成立一家分公司,专注于箔技术中的高精度技术。Vishay Precision Group约占Vishay年收入的9%,其产品线包括散装金属箔电阻器,微测量,称重传感器,过程称重和车载称重。2010年7月,Vishay Intertechnology完成了对Vishay Precision Group(VPG)的拆分。自1985年以来,Vishay一直奉行一项主要由以下要素组成的业务战略:主要通过收购其他电子元件制造商,扩大电子元件行业。减少开支;将制造业务转移到劳动力成本较低且有政府资助的激励机制的国家;在Vishay销售其大部分产品的地区保持重要的生产设施;不断推出新产品;并加强与客户和战略合作伙伴的关系。由于采取了这一策略,Vishay已从一家小型精密电阻器和电阻应变计制造商发展成为全球最大的电子元件生产商和供应商之一。战略收购2019     Bi-Metallix2018     Ultrasource2014     Capella Microsystems(凌耀科技股份有限公司)、Holy Stone Polytech2013     MCB Industrie2012     HiRel Systems(瀚威司通电子有限公司)2011     Huntington Electric: Resistor businesses(亨廷顿电气:电阻业务)2008     KEMET: Wet tantalum capacitor business(凯美特:湿钽电容器业务)2007     International Rectifier: PCS business2002     BCcomponents、Beyschlag(贝士拉革)2001    General Semiconductor、Infineon: Infrared components business、Mallory (NACC)、Tansitor2000    Cera-Mite、Electro-Films、Spectrol1998    Siliconix(硅尼克斯)、Tel efunken1994    Vitramon1993    Roederstein1992    Sprague(思碧)1988    Sfernice(思芬尼)1987    Draloric(迪劳瑞)1985    Dale(达勒)传感器业务        Vishay Intertechnology,Inc.的NTC(负温度系数)热敏电阻产品组合包括冰箱传感器,柔性箔传感器,微型浸入式传感器,钢盖传感器,带连接器的长时间浸入式传感器,标准接线片传感器,热梯度接线片传感器,微型接线片传感器,螺钉式螺纹传感器,冰箱传感器,带挠性引线的微型芯片传感器,各种径向引线热敏电阻(包括汽车级),表面安装玻璃保护热敏电阻,MELF玻璃封装热敏电阻,表面安装芯片热敏电阻,高灵敏度热敏电阻温度应用和裸露的热敏电阻芯片。
  • Vishay TEMT7100ITX01 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    商标:Vishay Semiconductors
    安装风格:SMD/SMT
    寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。
    封装:Cut Tape
    封装 / 箱体:0805 (2012 metric)
    峰值波长:870 nm
    工厂包装数量:3000
    弱电流:450 uA
    暗电流:1 nA
    最大工作温度:+ 110 C
    最小工作温度:- 40 C
    湿度敏感性:Yes
    类型:Silicon Phototransistor
    集电极—射极击穿电压:20 V
    集电极—射极饱和电压:400 mV
  • Vishay VEMT2023SLX01 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    单位重量:271 mg
    商标:Vishay Semiconductors
    封装:MouseReel
    工厂包装数量:3000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:2.7 mA
    暗电流:1 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:860 nm
    湿度敏感性:Yes
    类型:Silicon NPN Phototransistor
    系列:VEMT
    资格:AEC-Q101
    集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
    集电极—射极击穿电压:20 V
    集电极—射极饱和电压:400 mV
  • Vishay VEMT2020X01 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:15 deg
    单位重量:64.190 mg
    商标:Vishay Semiconductors
    安装风格:SMD/SMT
    封装:MouseReel
    峰值波长:860 nm
    工厂包装数量:6000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:6 mA
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:860 nm
    湿度敏感性:Yes
    系列:VEMT
    资格:AEC-Q101
    集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
    集电极—射极击穿电压:20 V
    集电极—射极饱和电压:400 mV
  • Vishay TEMT1000 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    上升时间:2 us
    下降时间:2.3 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:15 deg
    单位重量:219.127 mg
    商标:Vishay Semiconductors
    安装风格:SMD/SMT
    宽度:2 mm
    封装:MouseReel
    封装 / 箱体:SMD-2
    峰值波长:950 nm
    工作电源电压:5 V
    工厂包装数量:1000
    开启状态集电极最大电流:100 mA
    弱电流:7 mA
    暗电流:200 nA
    最大工作温度:+ 85 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:880 nm
    湿度敏感性:Yes
    类型:IR Chip
    系列:TEMT
    透镜颜色/类型:Black
    长度:2.5 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
    集电极—射极饱和电压:300 mV
    高度:2.7 mm
  • Vishay BPW85B-MS12Z PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    商标:Vishay Semiconductors
    安装风格:Through Hole
    封装 / 箱体:T-1
    峰值波长:850 nm
    弱电流:4 mA
    暗电流:1 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    类型:NPN Phototransistor
    系列:BPW
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
  • Vishay VEMT3700F-GS18 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    上升时间:2 us, 6 us
    下降时间:2 us, 6 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    发货限制:Mouser目前不销售该产品。
    商标:Vishay
    安装风格:SMD/SMT
    封装:Reel
    封装 / 箱体:PLCC-2
    峰值波长:940 nm
    工厂包装数量:8000
    弱电流:500 uA
    暗电流:1 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:940 nm
    类型:NPN Phototransistor
    系列:VEM
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
  • Vishay VEMT3700FX01-GS18 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    上升时间:2 us, 6 us
    下降时间:2 us, 6 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    发货限制:Mouser目前不销售该产品。
    商标:Vishay
    安装风格:SMD/SMT
    封装:Reel
    封装 / 箱体:PLCC-2
    峰值波长:940 nm
    工厂包装数量:8000
    弱电流:500 uA
    暗电流:1 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:940 nm
    类型:NPN Phototransistor
    系列:VEM
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
    集电极—射极饱和电压:5 V
  • Vishay BPW96C PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:150 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:20 deg
    单位重量:368.035 mg
    商标:Vishay Semiconductors
    安装风格:Through Hole
    宽度:5.75 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1 3/4
    峰值波长:850 nm
    工厂包装数量:4000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:8 mA
    暗电流:200 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:850 nm
    类型:Chip
    透镜颜色/类型:Clear
    长度:5.75 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
    集电极—射极饱和电压:300 mV
    高度:8.6 mm
  • Vishay VEMT3700F-GS08 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    上升时间:6 us
    下降时间:2 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:60 deg
    单位重量:12.327 g
    商标:Vishay Semiconductors
    封装:MouseReel
    封装 / 箱体:PLCC-2
    峰值波长:850 nm
    工厂包装数量:7500
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:500 uA
    暗电流:200 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:940 nm
    湿度敏感性:Yes
    系列:VEMT
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
    集电极—射极饱和电压:150 mV
  • Vishay VEMT2500X01 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:15 deg
    商标:Vishay Semiconductors
    封装:MouseReel
    封装 / 箱体:Reverse Gull Wing
    峰值波长:850 nm
    工厂包装数量:6000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:6 mA
    暗电流:1 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:850 nm
    湿度敏感性:Yes
    类型:Phototransistor
    系列:VEMT
    资格:AEC-Q101
    集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
    集电极—射极击穿电压:20 V
    集电极—射极饱和电压:400 mV
  • Vishay VEMT3700-GS08 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    上升时间:6 us
    下降时间:6 us
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:60 deg
    单位重量:767.500 mg
    商标:Vishay Semiconductors
    安装风格:SMD/SMT
    宽度:2.8 mm
    封装:MouseReel
    封装 / 箱体:PLCC-2
    峰值波长:850 nm
    工厂包装数量:7500
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:500 uA
    暗电流:200 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    湿度敏感性:Yes
    类型:IR Chip
    系列:VEMT
    长度:3 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    高度:1.65 mm
  • Vishay BPV11 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:150 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:15 deg
    商标:Vishay Semiconductors
    安装风格:Through Hole
    宽度:5.75 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1 3/4
    峰值波长:850 nm
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:10 mA
    暗电流:50 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:850 nm
    类型:Chip
    透镜颜色/类型:Water Clear
    长度:5.75 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
    集电极—射极饱和电压:130 mV
    高度:8 mm
  • Vishay TEKT5400S PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:150 mW
    上升时间:6 us
    下降时间:8 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:37 deg
    单位重量:153.866 mg
    商标:Vishay Semiconductors
    安装风格:Through Hole
    宽度:2.65 mm
    封装:Bulk
    峰值波长:920 nm
    工作电源电压:5 V
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:100 mA
    弱电流:4 mA
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 85 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:920 nm
    类型:Photodiode
    长度:5 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极饱和电压:300 mV
    高度:5 mm
  • Vishay BPW77NA PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:250 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:10 deg
    单位重量:505.850 mg
    商标:Vishay Semiconductors
    安装风格:Through Hole
    宽度:5.5 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:TO-18
    峰值波长:850 nm
    工厂包装数量:1000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:15 mA
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 125 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:850 nm
    类型:Chip
    透镜颜色/类型:Clear
    长度:5.5 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
    集电极—射极饱和电压:150 mV
    高度:6.15 mm
  • Vishay BPV11F PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:150 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:15 deg
    单位重量:400 mg
    商标:Vishay Semiconductors
    安装风格:Through Hole
    宽度:5.75 mm
    封装:Tube
    封装 / 箱体:T-1 3/4
    峰值波长:930 nm
    工作电源电压:5 V
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:9 mA
    暗电流:50 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:930 nm
    类型:Phototransistor
    透镜颜色/类型:Water Clear
    长度:5.75 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
    集电极—射极饱和电压:130 mV
    高度:8.6 mm
  • Vishay BPW85C PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:25 deg
    单位重量:219.777 mg
    商标:Vishay Semiconductors
    安装风格:Through Hole
    宽度:3.4 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1
    峰值波长:850 nm
    工厂包装数量:5000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:8 mA
    暗电流:200 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:850 nm
    类型:Chip
    透镜颜色/类型:Clear
    长度:3.4 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
    集电极—射极饱和电压:300 mV
    高度:4.5 mm
  • Vishay TEMT7100X01 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:109.299 mg
    商标:Vishay Semiconductors
    封装:MouseReel
    工厂包装数量:3000
    湿度敏感性:Yes
    资格:AEC-Q101
  • Vishay VEMT2000X01 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:15 deg
    单位重量:162.225 mg
    商标:Vishay Semiconductors
    封装:MouseReel
    峰值波长:860 nm
    工厂包装数量:6000
    弱电流:6 mA
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:860 nm
    湿度敏感性:Yes
    系列:VEMT
    资格:AEC-Q101
    集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
    集电极—射极击穿电压:20 V
    集电极—射极饱和电压:400 mV

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