Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Cut Tape |
封装 / 箱体:0805 (2012 metric) |
峰值波长:870 nm |
工厂包装数量:3000 |
弱电流:450 uA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon Phototransistor |
集电极—射极击穿电压:20 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:271 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:3000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:2.7 mA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:860 nm |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
系列:VEMT |
资格:AEC-Q101 |
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V |
集电极—射极击穿电压:20 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:15 deg |
单位重量:64.190 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:860 nm |
工厂包装数量:6000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:6 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:860 nm |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMT |
资格:AEC-Q101 |
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V |
集电极—射极击穿电压:20 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
Pd-功率耗散:100 mW |
上升时间:2 us |
下降时间:2.3 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:15 deg |
单位重量:219.127 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:2 mm |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:SMD-2 |
峰值波长:950 nm |
工作电源电压:5 V |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:100 mA |
弱电流:7 mA |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:880 nm |
湿度敏感性:Yes |
类型:IR Chip |
系列:TEMT |
透镜颜色/类型:Black |
长度:2.5 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:300 mV |
高度:2.7 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:850 nm |
弱电流:4 mA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:NPN Phototransistor |
系列:BPW |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
Pd-功率耗散:100 mW |
上升时间:2 us, 6 us |
下降时间:2 us, 6 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Vishay |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Reel |
封装 / 箱体:PLCC-2 |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:8000 |
弱电流:500 uA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:940 nm |
类型:NPN Phototransistor |
系列:VEM |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
Pd-功率耗散:100 mW |
上升时间:2 us, 6 us |
下降时间:2 us, 6 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Vishay |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Reel |
封装 / 箱体:PLCC-2 |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:8000 |
弱电流:500 uA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:940 nm |
类型:NPN Phototransistor |
系列:VEM |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:5 V |
Pd-功率耗散:150 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:20 deg |
单位重量:368.035 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.75 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:4000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:8 mA |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:850 nm |
类型:Chip |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:5.75 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:300 mV |
高度:8.6 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
上升时间:6 us |
下降时间:2 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:60 deg |
单位重量:12.327 g |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:PLCC-2 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:7500 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:500 uA |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:940 nm |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMT |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:15 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:Reverse Gull Wing |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:6000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:6 mA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:850 nm |
湿度敏感性:Yes |
类型:Phototransistor |
系列:VEMT |
资格:AEC-Q101 |
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V |
集电极—射极击穿电压:20 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
Pd-功率耗散:100 mW |
上升时间:6 us |
下降时间:6 us |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:60 deg |
单位重量:767.500 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:2.8 mm |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:PLCC-2 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:7500 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:500 uA |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:IR Chip |
系列:VEMT |
长度:3 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
高度:1.65 mm |
Pd-功率耗散:150 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:15 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.75 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:10 mA |
暗电流:50 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:850 nm |
类型:Chip |
透镜颜色/类型:Water Clear |
长度:5.75 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:130 mV |
高度:8 mm |
Pd-功率耗散:150 mW |
上升时间:6 us |
下降时间:8 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:37 deg |
单位重量:153.866 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:2.65 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:920 nm |
工作电源电压:5 V |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:100 mA |
弱电流:4 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:920 nm |
类型:Photodiode |
长度:5 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极饱和电压:300 mV |
高度:5 mm |
Pd-功率耗散:250 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:10 deg |
单位重量:505.850 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.5 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-18 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:15 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:850 nm |
类型:Chip |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:5.5 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
高度:6.15 mm |
Pd-功率耗散:150 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:15 deg |
单位重量:400 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.75 mm |
封装:Tube |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:930 nm |
工作电源电压:5 V |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:9 mA |
暗电流:50 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:930 nm |
类型:Phototransistor |
透镜颜色/类型:Water Clear |
长度:5.75 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:130 mV |
高度:8.6 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:25 deg |
单位重量:219.777 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:3.4 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:5000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:8 mA |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:850 nm |
类型:Chip |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:3.4 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:300 mV |
高度:4.5 mm |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:109.299 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:3000 |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:15 deg |
单位重量:162.225 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
峰值波长:860 nm |
工厂包装数量:6000 |
弱电流:6 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:860 nm |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMT |
资格:AEC-Q101 |
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V |
集电极—射极击穿电压:20 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
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