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ams-OSRAM 艾迈斯欧司朗
照明与传感创新的全球领导者奥地利 ams-OSRAM AG (艾迈斯欧司朗) 致力于开拓创新,打造独具一格的照明与传感解决方案。我们积淀百余载行业经验,融合卓越工程技术与全球制造实力,将热情注入前沿创新。我们在光源、可视化和传感技术领域不断突破,赢得了全球客户的信赖。我们与客户携手共进,创造颠覆性应用,让世界更安全、更智能,更可持续。“感未来,光无限”——我们深刻洞悉光之无限潜能,引领未来创新。我们驾驭可见光与不可见光,点亮世界,予人洞见。我们为光赋予智能,助力客户续写创新应用新篇章。我们凭借独树一帜的尖端照明与传感技术组合,以出众的实力引领行业发展。在我们丰富多样的产品组合中,既有高质量的半导体光发射器、传感器、CMOS IC和配套软件,也有一系列面向汽车和特殊应用的传统照明技术。我们在全球拥有约20,000名员工,所有人齐心协力投入创新,紧跟数字化、智能生活、节能和可持续发展等社会大趋势。我们的照明与传感技术在汽车、工业、医疗健康和消费电子市场树立了行业标杆,目前在全球共有约14,000项已授予和已申请专利。集团总部位于奥地利Premstaetten/格拉茨和德国慕尼黑,2023年集团收入为36亿欧元。我们的愿景和使命我们的愿景启迪照明与传感创新。我们的使命引领传感照明科技,以备受信赖的创新制造能力共创智慧和谐世界。 公司理念感未来,光无限历史历经110多年发展,我们仍在积极探索如何利用技术实现创想。我们满怀热忱,创新步履不停。凭借系统专业知识和对光学解决方案的深厚了解,我们通过先进的产品和前卫的设计把握未来发展机遇。主要产品LED白光LED,彩色LED,UV-C LEDs,红外LED,多色LED,LED模组,LED配件驱动器LED 驱动器激光器彩色激光器(EEL),彩色激光器 (VCSEL),红外激光器(EEL),红外激光器(VCSEL)光电探测器光电二极管,光电晶体管多芯片组合光学模组传感器环境光、颜色、光谱和接近传感器,dToF传感器,CMOS图像传感器,X射线传感器,位置传感器,电容传感器,温度传感器,主动降噪,电池管理,模拟前端接口传感器接口ASICS全方位晶圆代工服务灯具汽车,娱乐与工业应用光源应用板、套件和相关附件应用领域汽车与出行前向灯,动态前向灯,信号灯,动态信号灯,功能性照明,氛围照明,屏显背光,投影,智能表面,环境光传感,舱内传感,ADAS/AD,雨量、阳光和隧道传感,位置和角度传感,电池管理系统,汽车后市场工业机器人,家居和楼宇自动化,工厂/工业自动化,材料加工,投影和显示,工业CT机和安检机,电器和工具,门禁和安全,UV-C消毒和处理医疗与健康医疗影像,数字医疗设备,医疗照明系统移动和可穿戴设备显示管理,增强现实眼镜的可视化,身份验证,摄像增强,3D传感,人体追踪,生命体征监测照明农业和植物照明,户外和工业照明,室内照明,娱乐照明计算创新光子计数,IR LED IR:6,LED-on-foil 技术,3D深度传感技术,开放系统协议 中国业务欧司朗光电半导体(中国)有限公司
  • ams OSRAM SFH 314 FA-2/3 Phototransistors

    Pd-功率耗散:200 mW
    上升时间:12 us
    下降时间:12 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    传播延迟—最大值:-
    半强度角度:40 deg
    单位重量:300 mg
    商标:ams OSRAM
    安装风格:Through Hole
    宽度:5.9 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1 3/4
    峰值波长:870 nm
    工作电源电压:-
    工厂包装数量:1000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:3.2 mA
    暗电流:200 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:850 nm
    类型:Silicon NPN Phototransistor
    输出电流:-
    透镜颜色/类型:Black
    长度:5.9 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
    集电极—射极饱和电压:150 mV
    零件号别名:Q62702P3599
    高度:6.9 mm
  • ams OSRAM SFH 3716 Phototransistors

    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    单位重量:3.760 mg
    商标:ams OSRAM
    安装风格:SMD/SMT
    封装:MouseReel
    封装 / 箱体:0805 (2012 metric)
    工厂包装数量:3000
    开启状态集电极最大电流:20 mA
    弱电流:64 uA
    暗电流:3 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:570 nm
    湿度敏感性:Yes
    类型:NPN
    资格:AEC-Q101
    集电极—发射极最大电压 VCEO:5.5 V
    集电极—射极击穿电压:5.5 V
    零件号别名:Q65111A9149
  • ams OSRAM SFH 310-2/3 Phototransistors

    Pd-功率耗散:165 mW
    上升时间:8 us
    下降时间:8 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    传播延迟—最大值:-
    半强度角度:25 deg
    单位重量:200 mg
    商标:ams OSRAM
    安装风格:Through Hole
    宽度:3.4 mm
    寿命周期:寿命结束: 将过时且制造商将停产。
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1
    峰值波长:880 nm
    工作电源电压:-
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:2 mA
    暗电流:50 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:880 nm
    类型:Silicon NPN Phototransistor
    资格:AEC-Q101
    输出电流:-
    透镜颜色/类型:Clear
    长度:3.4 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V
    集电极—射极击穿电压:35 V
    集电极—射极饱和电压:150 mV
    零件号别名:Q62702P3595
    高度:4.8 mm
  • ams OSRAM SFH 313 FA-2/3 Phototransistors

    Pd-功率耗散:200 mW
    上升时间:12 us
    下降时间:12 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    传播延迟—最大值:-
    半强度角度:10 deg
    单位重量:400 mg
    商标:ams OSRAM
    安装风格:Through Hole
    宽度:5.9 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1 3/4
    峰值波长:870 nm
    工作电源电压:-
    工厂包装数量:1000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:12.5 mA
    暗电流:200 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:870 nm
    类型:Silicon NPN Phototransistor
    输出电流:-
    透镜颜色/类型:Black
    长度:5.9 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
    集电极—射极击穿电压:70 V
    集电极—射极饱和电压:150 mV
    零件号别名:Q62702P3597
    高度:9 mm
  • ams OSRAM SFH 3710-2/3 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:3.800 mg
    商标:ams OSRAM
    封装:Cut Tape
    工厂包装数量:3000
    湿度敏感性:Yes
    零件号别名:Q65110A3512 SFH 3710-2/3 Q65110A3512
  • ams OSRAM SFH 3605 Phototransistors

    Pd-功率耗散:130 mW
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:20 deg
    单位重量:23 mg
    商标:ams OSRAM
    宽度:2.35 mm
    封装:MouseReel
    封装 / 箱体:MIDLED
    峰值波长:990 nm
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:15 mA
    暗电流:50 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    湿度敏感性:Yes
    类型:Chip
    资格:AEC-Q101
    长度:3.3 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V
    零件号别名:Q65110A1574 SFH 3605 Q65110A1574
    高度:1.7 mm
  • ams OSRAM SFH 309 FA Phototransistors

    Pd-功率耗散:165 mW
    上升时间:-
    下降时间:-
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    传播延迟—最大值:-
    半强度角度:12 deg
    单位重量:200 mg
    商标:ams OSRAM
    安装风格:Through Hole
    宽度:4 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1
    峰值波长:900 nm
    工作电源电压:-
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:15 mA
    弱电流:5 mA
    暗电流:15 mA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:900 nm
    类型:Silicon NPN Phototransistor
    资格:AEC-Q101
    输出电流:-
    透镜颜色/类型:Black
    长度:4 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V
    集电极—射极击穿电压:35 V
    集电极—射极饱和电压:200 mV
    零件号别名:Q62702P0941
    高度:5.2 mm
  • ams OSRAM SFH 309-5/6 Phototransistors

    Pd-功率耗散:165 mW
    上升时间:8 us, 9 us
    下降时间:8 us, 9 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    传播延迟—最大值:-
    半强度角度:12 deg
    单位重量:200 mg
    商标:ams OSRAM
    安装风格:Through Hole
    宽度:4 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1
    峰值波长:860 nm
    工作电源电压:-
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:15 mA
    暗电流:15 mA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:860 nm
    类型:Silicon NPN Phototransistor
    资格:AEC-Q101
    输出电流:-
    透镜颜色/类型:Clear
    长度:4 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V
    集电极—射极击穿电压:35 V
    集电极—射极饱和电压:200 mV
    零件号别名:Q62702P3594
    高度:5.2 mm
  • ams OSRAM SFH 320 FA Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:35 mg
    商标:ams OSRAM
    封装:Cut Tape
    工厂包装数量:2000
    湿度敏感性:Yes
    零件号别名:Q65110A2472 SFH 320 FA Q65110A2472
  • ams OSRAM SFH 320-3 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:35 mg
    商标:ams OSRAM
    封装:MouseReel
    工厂包装数量:2000
    湿度敏感性:Yes
    零件号别名:Q65110A2469 SFH 320-3 Q65110A2469
  • ams OSRAM SFH 320 FA-3/4 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:35 mg
    商标:ams OSRAM
    封装:MouseReel
    工厂包装数量:2000
    湿度敏感性:Yes
    零件号别名:Q65110A2475 SFH 320 FA-3/4 Q65110A2475
  • ams OSRAM SFH 320-3/4 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:35 mg
    商标:ams OSRAM
    封装:MouseReel
    工厂包装数量:2000
    湿度敏感性:Yes
    零件号别名:Q65110A1781 SFH 320-3/4 Q65110A1781
  • ams OSRAM SFH 325-3/4 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:76 mg
    商标:ams OSRAM
    封装:MouseReel
    工厂包装数量:2000
    湿度敏感性:Yes
    零件号别名:Q65110A2491 SFH 325-3/4 Q65110A2491
  • ams OSRAM SFH 300-3/4 Phototransistors

    Pd-功率耗散:200 mW
    上升时间:10 us
    下降时间:10 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:25 deg
    单位重量:300 mg
    商标:ams OSRAM
    安装风格:Through Hole
    宽度:5.9 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1 3/4
    峰值波长:880 nm
    工厂包装数量:1000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    暗电流:50 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:880 nm
    类型:Chip
    资格:AEC-Q101
    长度:5.9 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V
    集电极—射极击穿电压:35 V
    集电极—射极饱和电压:150 mV
    零件号别名:Q62702P3586
    高度:9 mm
  • ams OSRAM SFH 320 FA-4 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:35 mg
    商标:ams OSRAM
    封装:MouseReel
    工厂包装数量:2000
    湿度敏感性:Yes
    零件号别名:Q65110A1836 SFH 320 FA-4 Q65110A1836
  • ams OSRAM SFH 310 FA-2/3 Phototransistors

    Pd-功率耗散:165 mW
    上升时间:8 us
    下降时间:8 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    传播延迟—最大值:-
    半强度角度:25 deg
    单位重量:200 mg
    商标:ams OSRAM
    安装风格:Through Hole
    宽度:3.4 mm
    寿命周期:寿命结束: 将过时且制造商将停产。
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1
    峰值波长:890 nm
    工作电源电压:-
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    弱电流:2 mA
    暗电流:50 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:890 nm
    类型:Silicon NPN Phototransistor
    输出电流:-
    透镜颜色/类型:Black
    长度:3.4 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V
    集电极—射极击穿电压:35 V
    集电极—射极饱和电压:150 mV
    零件号别名:Q62702P3596
    高度:4.8 mm
  • ams OSRAM SFH 309-4 Phototransistors

    Pd-功率耗散:165 mW
    上升时间:7 us
    下降时间:7 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    传播延迟—最大值:-
    半强度角度:12 deg
    单位重量:200 mg
    商标:ams OSRAM
    安装风格:Through Hole
    宽度:4 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1
    峰值波长:860 nm
    工作电源电压:-
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:15 mA
    弱电流:2 mA
    暗电流:15 mA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:860 nm
    类型:Silicon NPN Phototransistor
    资格:AEC-Q101
    输出电流:-
    透镜颜色/类型:Clear
    长度:4 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V
    集电极—射极击穿电压:35 V
    集电极—射极饱和电压:200 mV
    零件号别名:Q62702P0998
    高度:5.2 mm
  • ams OSRAM SFH 325 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:76 mg
    商标:ams OSRAM
    封装:MouseReel
    工厂包装数量:2000
    湿度敏感性:Yes
    零件号别名:Q65110A2486 SFH 325 Q65110A2486
  • ams OSRAM SFH 3605-3/4 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    商标:ams OSRAM
    封装:MouseReel
    工厂包装数量:2000
    湿度敏感性:Yes
    资格:AEC-Q101
    零件号别名:Q65110A2664 SFH 3605-3/4 Q65110A2664
  • ams OSRAM SFH 309 FA-5 Phototransistors

    Pd-功率耗散:165 mW
    上升时间:8 us
    下降时间:8 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    传播延迟—最大值:-
    半强度角度:12 deg
    单位重量:200 mg
    商标:ams OSRAM
    安装风格:Through Hole
    宽度:4 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1
    峰值波长:900 nm
    工作电源电压:-
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:15 mA
    弱电流:3.2 mA
    暗电流:15 mA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:900 nm
    类型:Silicon NPN Phototransistor
    输出电流:-
    透镜颜色/类型:Black
    长度:4 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V
    集电极—射极击穿电压:35 V
    集电极—射极饱和电压:200 mV
    零件号别名:Q62702P0180
    高度:5.2 mm
  • ams OSRAM SFH 325 FA-4 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:76 mg
    商标:ams OSRAM
    封装:MouseReel
    工厂包装数量:2000
    湿度敏感性:Yes
    零件号别名:Q65110A2485 SFH 325 FA-4 Q65110A2485
  • ams OSRAM SFH 3219 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:37 mg
    商标:ams OSRAM
    封装:MouseReel
    工厂包装数量:2000
    湿度敏感性:Yes
    零件号别名:Q65110A2651 SFH 3219 Q65110A2651
  • ams OSRAM BP 103 Phototransistors

    Pd-功率耗散:150 mW
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:55 deg
    单位重量:200 mg
    商标:ams OSRAM
    宽度:5.5 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:TO-18
    峰值波长:850 nm
    工厂包装数量:1000
    开启状态集电极最大电流:100 mA
    暗电流:50 nA
    最大工作温度:+ 80 C
    最小工作温度:- 40 C
    类型:Chip
    透镜颜色/类型:Transparent
    长度:5.5 mm
    零件号别名:Q62702P0075
    高度:3.6 mm

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