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TT Electronics
概述TT Electronics Plc 是电子元器件的制造服务供应商,总部设在英格兰。TT Electronics Plc为工业,航空航天和国防,医疗和运输市场设计和制造传感器,电源模块,电阻器,磁性,半导体,连接器和光电器件。TT Electronics向全球的大型制造商销售产品,并设有三个部门-传感器和专用组件,电力电子和全球制造解决方案。发展历程在伦敦股票市场上市,Tyzack Turner Group plc 在1988年更名为TT Group plc。在1990年代,通过收购磁性材料集团,AB电子产品集团和BI Technologies,扩大了电子业务。通过收购Dale Electric Internanal和AEI Group(通用电气公司的电线电缆部门)进行了进一步扩展。1990年,TT集团收购了英国电阻器和传感器制造公司Crystalate Manufacturing Company。在2000年,公司更名为TT Electronics plc。TT Electronics Plc在伦敦证券交易所(TTG.L)上市,2015年收入为5.099亿英镑,营业利润为2170万英镑。2017年,公司在全球21个地区雇用了4100名员工。产品品牌和产品线产品品牌AB连接器,Aero Stanrew,BI Technologies,Cletronics,IRC,Optek Technology,Roxspur测量和控制,Semelab和Welwyn Components。主要产品连接器,电磁学,编码器,流量传感器,混合微电路,液位传感器,光电子学,电位器,电源模块,压力传感器,水泵,电阻器,射频功率MOSFET,半导体类,转向传感器,温度传感器,修剪器,转动计数转盘等。
  • 光电晶体管 Photodarlington

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    商标:Optek / TT Electronics
    安装风格:Through Hole
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:Side Looker
    工厂包装数量:1000
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:980 nm
    类型:NPN Silicon Phototransistor
    集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V
    集电极—射极击穿电压:15 V
    集电极—射极饱和电压:1.1 V
  • 光电晶体管 Narrow Rcvng Angle 935nm

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    单位重量:168.617 mg
    商标:Optek / TT Electronics
    安装风格:Through Hole
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1-2
    峰值波长:935 nm
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:5.95 mA
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:935 nm
    类型:NPN Silicon Phototransistor
    透镜颜色/类型:Blue
    集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
    集电极—射极击穿电压:30 V
    集电极—射极饱和电压:400 mV
    高度:5.08 mm
  • 光电晶体管 PHOTOSENSOR

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    单位重量:141.285 mg
    商标:Optek / TT Electronics
    安装风格:Through Hole
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1-2
    峰值波长:935 nm
    工厂包装数量:2000
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:935 nm
    类型:NPN Silicon Phototransistor
    透镜颜色/类型:Blue
    集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
    集电极—射极击穿电压:30 V
    集电极—射极饱和电压:400 mV
    高度:5.08 mm
  • 光电晶体管 Photo Transistor

    产品种类:光电晶体管
    单位重量:653.413 mg
    商标:Optek / TT Electronics
    封装:Bulk
    工厂包装数量:500
  • 光电晶体管 NPN PHOTOTRANSISTOR

    Pd-功率耗散:50 mW
    上升时间:15 us
    下降时间:15 us
    产品种类:光电晶体管
    单位重量:256.868 mg
    商标:Optek / TT Electronics
    宽度:1.57 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:Pill
    工厂包装数量:400
    开启状态集电极最大电流:50 mA
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 125 C
    最小工作温度:- 65 C
    类型:Chip
    长度:2.34 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
    高度:2.92 mm
  • 光电晶体管 PHOTOSENSOR

    Pd-功率耗散:250 mW
    上升时间:7 us
    下降时间:7 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    单位重量:872.167 mg
    商标:Optek / TT Electronics
    安装风格:Through Hole
    宽度:5.84 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:TO-18-3
    工厂包装数量:1000
    最大工作温度:+ 125 C
    最小工作温度:- 65 C
    类型:Chip
    长度:5.84 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
    高度:6.86 mm
  • 光电晶体管 LED/Sensor Matched Pair

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    单位重量:408.596 mg
    商标:Optek / TT Electronics
    安装风格:Through Hole
    宽度:2.54 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1-2
    工厂包装数量:1000
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    类型:LED and Photosensor Pairs
    系列:OPS69x
    透镜颜色/类型:Clear
    长度:4.57 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
    集电极—射极击穿电压:30 V
    集电极—射极饱和电压:400 mV
    高度:5.84 mm
  • 光电晶体管 LED/Sensor Matched Pair

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    商标:Optek / TT Electronics
    安装风格:Through Hole
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1-2
    工厂包装数量:1000
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    类型:LED and Photosensor Pairs
    系列:OPS69x
    集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
    集电极—射极击穿电压:30 V
    集电极—射极饱和电压:400 mV

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