Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Side Looker |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:980 nm |
类型:NPN Silicon Phototransistor |
集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V |
集电极—射极击穿电压:15 V |
集电极—射极饱和电压:1.1 V |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:168.617 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1-2 |
峰值波长:935 nm |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:5.95 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:935 nm |
类型:NPN Silicon Phototransistor |
透镜颜色/类型:Blue |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
高度:5.08 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:141.285 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1-2 |
峰值波长:935 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:935 nm |
类型:NPN Silicon Phototransistor |
透镜颜色/类型:Blue |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
高度:5.08 mm |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:653.413 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
封装:Bulk |
工厂包装数量:500 |
Pd-功率耗散:50 mW |
上升时间:15 us |
下降时间:15 us |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:256.868 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
宽度:1.57 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Pill |
工厂包装数量:400 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 65 C |
类型:Chip |
长度:2.34 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V |
高度:2.92 mm |
Pd-功率耗散:250 mW |
上升时间:7 us |
下降时间:7 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:872.167 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.84 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-18-3 |
工厂包装数量:1000 |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 65 C |
类型:Chip |
长度:5.84 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
高度:6.86 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:408.596 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:2.54 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1-2 |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:LED and Photosensor Pairs |
系列:OPS69x |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:4.57 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
高度:5.84 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1-2 |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:LED and Photosensor Pairs |
系列:OPS69x |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
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