西安唐晶量子科技有限公司 位于西安市高新技术产业开发区，专注于采用金属有机化学气相沉积设备(MOCVD)进行以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为衬底的III-V族化合物半导体外延片研发与生产，提供专业的外延生长定制服务。公司拥有国际一流的MOCVD外延工艺经验技术团队，已攻克外延片生长关键技术难题，其重要参数已达或优于国际先进水平。唐晶量子是国内极少数具有GaAs和InP化合物半导体外延片量产能力的代工平台。
唐晶量子新生产基地项目位于西安高新区丝路科学城规划核心区，拟建设多条砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)化合物半导体外延片研发和生产产线，预计建成后外延片年产量超十万片。该项目的建成将进一步强化公司在半导体激光器、光电探测器及HBT射频外延片的产业化优势，促进半导体行业及新材料产业技术水平的提升和产业集聚，推动国内数字化和智能化建设，助力“中国芯”扬帆起航。
主要产品
砷化镓 VCSEL
高速率砷化镓 VCSEL
产品应用描述
10G和25G VCSEL数据通信产品是一种高速、高效、低功耗、可靠性高的光电子元件，广泛应用于数据通信领域。通常用于数据中心、局域网和广域网等高速数据传输场合。具有低功耗、高可靠性和高速率等优点，是替代传统电子元件的重要光电子元件之一。
高功率砷化镓 VCSEL
产品应用描述
高功率VCSEL产品是一种输出功率高、发射面积大、发射角度可控、波长稳定的光电子元件，主要应用于激光打印、激光雷达、激光显示、激光医疗、激光制造等领域。高功率VCSEL产品的输出功率通常在几百毫瓦至几瓦之间，相对于传统的激光二极管（LD）而言，其功率密度更高，输出波长更单一。
其它类型砷化镓 VCSEL
产品应用描述
660、680和795nm VCSEL产品是一种高效、窄光谱、快速调制、低噪音的光电子元件，660和680nm VCSEL主要用于医疗设备、3D成像、光通信、眼科手术、虹膜识别等领域，而795主要用于脉冲测距、油气勘探、流量测量等领域。这些VCSEL产品通常具有高效率、窄光谱、快速调制、低噪音等特点。VCSEL产品与传统的激光二极管（LD）相比，具有较小的发散角度、更好的空间一致性、更低的热效应等优点。
砷化镓 EEL/PD
产品应用描述
砷化镓边发射激光器(EEL) 和光电二极管（PD）是一种基于砷化镓（砷化镓）半导体材料的光电子元件。砷化镓 EEL是通过在砷化镓材料中注入电流来激发电子从价带跃迁到导带，发出光子。可应用于光通信、光纤传感、光磁记录等领域。砷化镓光电二极管（PD）是一种基于PN结的光探测器。是将光子转化为电子，从而产生光电流。可应用于光通信、光纤传感、光学成像、光谱分析等领域。
砷化镓 HBT
产品应用描述
砷化镓 HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）是一种异质结双极晶体管，该结构具有高电子迁移率和较低的基本收缩效应，砷化镓 HBT主要应用于高速放大器、低噪声放大器、功率放大器和开关等领域，其工作频率可达到数十GHz至数百GHz级别。例如，在无线通信中，砷化镓 HBT可用于射频前置放大器、频率合成器、混频器等关键电路。可应用于高速放大器、低噪声放大器、功率放大器和开关等领域，其工作频率可达到数十GHz至数百GHz级别。
磷化铟 DFB/FP/PD
产品应用描述
磷化铟 DFB（Distributed Feedback）、FP（Fabry-Perot）和PD（Photodiode)，分别基于光子晶格结构、光腔谐振结构和内部光电效应，可应用于光通信、光传感、激光雷达、光谱分析等领域 DFB激光器具有高单模输出功率、窄线宽和低噪声等特点。磷化铟 DFB激光器的光谱宽度一般在几百千赫兹到数兆赫兹之间，工作波长可覆盖1300nm和1550nm两个窗口，可应用于光通信、光传感等领域。FP激光器具有高输出功率和较宽的光谱线宽。可应用于激光雷达、光谱分析等领域。PD光电二极管具有高灵敏度和高响应速度等特点。工作波长一般在1300nm和1550nm窗口，可应用于光通信、光传感等领域。
荣誉资质
