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Texas Instruments DRV5021A2QDBZT Hall Effect / Magnetic Sensors

板机接口霍耳效应/磁性传感器 Low voltage (up to 5.5V), high bandwidth (up to 30 kHz) unipolar switch 3-SOT-23 -40 to 125

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2024-12-12 21:00:19
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  • DRV5021A2QDBZT

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  • Texas Instruments (TI) 德州仪器

DRV5021A2QDBZT Hall Effect / Magnetic Sensors选型参数

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产品 Linear Hall Effect Sensors
产品种类 板机接口霍耳效应/磁性传感器
单位重量 11 mg
商标 Texas Instruments
安装风格 SMD/SMT
寿命周期 寿命结束: 将过时且制造商将停产。
封装 Cut Tape
封装 / 箱体 SOT-23-3
工作点最小值/最大值 5.5 mT to 12.5 mT
工作电源电压 2.5 V to 5.5 V
工作电源电流 2.3 mA
工厂包装数量 250
最大工作温度 + 125 C
最大输出电流 20 mA
最小/最大释放点(Brp) 3.6 mT to 9.5 mT
最小工作温度 - 40 C
电源电压-最大 5.5 V
电源电压-最小 2.5 V
端接类型 SMD/SMT
类型 Unipolar
系列 DRV5021
输出电压 5.5 V
输出类型 Open Drain

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DRV5021A2QDBZT Hall Effect / Magnetic Sensors资源附件
文件名称 大小 操作
Texas_Instruments_PCN20231109000_20231109140525419 332.93 KB
Texas_Instruments_PCN20230327001_20231115161148135 504.64 KB
Texas_Instruments_PCN20230327001_20230403122721119 524.64 KB
Texas_Instruments_PCN20230327001_20230403141719119 496.48 KB
Texas_Instruments_PCN20230327001_2023033001173251 522.37 KB

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