Everlight EAPST1608A0 Phototransistors
光电晶体管 1608 SMD IR Detector 940nm
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2024-12-12 21:00:14
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EAPST1608A0
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Everlight 亿光电子
产品介绍
EAPST1608A0 Phototransistors选型参数
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| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Pd-功率耗散 | 75 mW | |
| 产品 | Phototransistors | |
| 产品种类 | 光电晶体管 | |
| 发货限制 | Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 | |
| 商标 | Everlight | |
| 安装风格 | SMD/SMT | |
| 封装 | Cut Tape | |
| 封装 / 箱体 | 0603 (1608 metric) | |
| 工厂包装数量 | 3000 | |
| 开启状态集电极最大电流 | 900 uA | |
| 暗电流 | 100 nA | |
| 最大工作温度 | + 85 C | |
| 最小工作温度 | - 25 C | |
| 波长 | 940 nm | |
| 湿度敏感性 | Yes | |
| 类型 | IR Chip | |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 30 V | |
| 集电极—射极击穿电压 | 30 V | |
| 集电极—射极饱和电压 | 400 mV |
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| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| EAPST1608A0-952874 | 389.53 KB | 下载 |
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