Vishay BP104S Photodiodes
光电二极管 PIN Photodiode 950nm
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BP104S
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Vishay 威世
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广州南创电子
产品介绍
BP104S Photodiodes技术参数
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Pd-功率耗散 | 215 mW | |
Vr - 反向电压 | 60 V | |
上升时间 | 100 ns | |
下降时间 | 100 ns | |
产品 | PIN Photodiodes | |
产品种类 | 光电二极管 | |
光电流 | 45 uA | |
半强度角度 | 65 deg | |
单位重量 | 823.300 mg | |
商标 | Vishay Semiconductors | |
噪声等效功率 - NEP | 4E-14 W/sqrt Hz | |
安装风格 | Through Hole | |
宽度 | 4.3 mm | |
封装 | Tube | |
峰值波长 | 950 nm | |
工厂包装数量 | 1800 | |
暗电流 | 2 nA | |
最大工作温度 | + 100 C | |
最小工作温度 | - 40 C | |
长度 | 4.65 mm | |
高度 | 2 mm |
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