CrocusTechnology 成立于2006年，致力于开发磁阻随机存取存储器（MRAM）技术及用于电流检测和位置检测领域的磁传感器。其主要投资者包括俄罗斯RUSNANO等公司 。竞争优势Crocus Technology 基于其革命性的专利 XtremeSense TMR 技术开发和供应磁传感器。Crocus的磁传感器为工业和消费电子应用带来了显著优势，这些应用要求高灵敏度、温度范围内的稳定磁性能、低功耗和低噪声，同时降低整体解决方案成本。我们的总部位于加州圣克拉拉，在法国格勒诺布尔设有办事处。 Crocus Technology 致力于保持其运营和质量体系符合ISO 9001标准。它已获得ISO 9001:2015认证，向第三方审计员证明Crocus拥有适当的流程和控制措施。发展历程Crocus Technology 的产品起源于2004年成立，位于法国格勒诺布尔的 Spintec 实验室，其技术已获许可用于独立和嵌入式芯片应用。虽然公司最终将总部迁至加利福尼亚州圣克拉拉，但保留了格勒诺布尔的工程基地。2009年6月18日，CrocusTechnology 宣布与集成电路专业厂商 Tower Semiconductor 建立合作关系。两家公司将在 Tower 的工厂投资专用设备，并且Tower 的200mm 晶圆厂完全生产 Crocus 的 MRAM 产品，作为交易的一部分，Tower 获得Crocus的125万美元股权。2011年，Crocus Technology 在法国鲁塞特开设办事处，以开发和支持安全产品。2011年5月17日，Crocus Technology 宣布与俄罗斯国有技术投资基金 Rusnano 合资。新的合资公司 Crocus Nano Electronics（CNE）计划投资1.25亿美元在俄罗斯建立先进的MRAM制造工厂。在工厂开始生产后，预计将有总计3亿美元的额外资金用于扩大工厂的产能。在2011年6月22日，Crocus宣布了一种基于其TAS技术的新技术，称为磁逻辑单元（MLU）架构。该技术可用于实现超安全功能，例如智能卡，身份证，SIM卡和近场通信（NFC）防篡改。该技术可以在很高的温度下运行，使其在汽车和工业电子产品中很有用。MLU有潜力取代各种其他存储技术，例如SRAM，DRAM，NAND，NOR和OTP。2011年10月6日，CrocusTechnology宣布已与IBM签署协议，共同开发MRAM中的半导体技术。主要产品CrocusTechnology  如今主要提供适用于低功耗、高灵敏度和极端温度环境的高精度磁传感器极其解决方案。Crocus的磁传感器产品基于其创新和专利的XtremeSense TMR技术，可在宽温度范围内实现高灵敏度、低噪声和稳定的性能。这些磁传感器不仅具有高磁感应性能，还具有可靠性、小尺寸、电流和热隔离、高频工作和低功耗等特点。这些特性使它们非常适合许多不同的工作环境，以及精度和快速响应非常重要的应用，例如能源管理系统、逆变器、电池管理、充电管理、电机/运动控制和许多其他应用。