SJT0302PPN PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0302PPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT0302PPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补NPN管：SJT0281NPN。

3ZY147400NPYLSA1 采用平面工艺技术制造，具有高温特性好、反向漏电小、开关损耗低、可靠性高的特点。产品主要应用于电子节能灯、电子镇流器及开关电源中。3ZY147400NPYLSA1三极管适用于TO-92封装外形。

3ZY338400NPYL 采用平面工艺技术制造，具有高温特性好、反向漏电小、开关损耗低、可靠性高的特点。产品主要应用于电子节能灯、电子镇流器及开关电源中。3ZY338400NPYL三极管适用于TO-220AB封装外形。

3GT427060PFYL是采用士兰微电子平面栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管；采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的饱和压降和开关损耗；正面电极材料为铝，背面电极材料为铝、钛、镍、银；该产品主要应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

特点：耐高压，高可靠性，开关速度快；利用该芯片封装的典型成品有SVT5555ND（典型封装TO-220）；正面电极材料为铝，背面电极材料为银；该产品主要应用在计算机电源，大功率开关电路等。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等。2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等；2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

SGT75T65SDM1P4绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT10T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

盈满高电子 红外对射管 三极管

3DD464230NPYL 采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点；优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力；产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点；3DD464230NPYL三极管适用于TO-3P封装外形；互补PNP管：3DD464230PPYL。

SGTP30U60FD1PU绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus（Field Stop IV+）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

3ZY147400NPYLSA1 采用平面工艺技术制造，具有高温特性好、反向漏电小、开关损耗低、可靠性高的特点。产品主要应用于电子节能灯、电子镇流器及开关电源中。3ZY147400NPYLSA1三极管适用于TO-92封装外形。

3DD550250NPYL采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点；优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力；产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点；3DD550250NPYL三极管适用于TO-3P封装外形；互补PNP管：3DD550250PPYL。

3GT385060PFYL是采用士兰微电子平面栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管；采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的饱和压降和开关损耗；正面电极材料为铝，背面电极材料为铝、钛、镍、银；该产品主要应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

3DD550250PPYL采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。3DD550250PPYL三极管适用于TO-3P封装外形。互补NPN管：3DD550250NPYL。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等；2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等；2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等；2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等；2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等；2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等；2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等。2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等。2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等；2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。