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  • Silan 士兰微 IGBT 总共筛选出4条产品数据 展开查看

    • Silan 士兰微 SGM400PB7B1TFM 400A/650V IGBT模块

      SGM400PB7B1TFM是一款符合汽车标准的功率模块,适用于功率范围30-60kW的电动汽车应用。该模块以150°C工作结温设计,配备士兰微Trench-Field-Stop IGBT4和匹配的发射极控制FRD。基于士兰微在IGBT功率模块开发的长期经验,对新材料和封装技术的深入研究成果,高质量的自动化产线管控,B1模块具备超低的导通损耗及优异的短路能力。B1模块可以风冷和水冷控制,铜底板、高性能陶瓷基板和引线键合工艺的高度结合,为混动和纯电应用逆变器提供优秀的热循环和功率循环能力,保证了系统最高可靠性。
    • Silan 士兰微 SGM950PB8B3TFM 950A/750V IGBT模块

      SGM950PB8B3TFM是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于混动和纯电动汽车等应用领域,具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级,为严苛环境条件下的逆变器运行,提供更可靠的保障。
    • Silan 士兰微 SA3116A 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

      SA3116A是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。SA3116A内置欠压保护,可防止功率管在低压下工作;芯片具有闭锁功能,可确保功率管上下桥臂不会同时导通;输入通道 LIN 内建了上拉 5V 高电位和 HIN 内建了一个 10K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构。
    • Silan 士兰微 SA3116 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

      SA3116是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。SA3116 高端的工作电压可达 100V,Vcc的电源电压范围宽 4.5V~30V,静态功耗低,仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 LIN 内建了上拉 5V 高电位和 HIN 内建了一个 10K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用 SOP8 封装。

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