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  • Silan 士兰微 MOSFET 总共筛选出3条产品数据 展开查看

    • Silan 士兰微 3VD579200YH N沟道增强型MOSFET芯片

      3VD579200YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；较高的雪崩击穿耐量；优越的开关性能；该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD260；封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。

    • Silan 士兰微 3VD518040YL N沟道增强型MOSFET芯片

      3VD518040YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；较高的雪崩击穿耐量；优越的开关性能；该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD1404T；封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。

    • Silan 士兰微 3VD517040YL N沟道增强型MOSFET芯片

      3VD517040YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；较高的雪崩击穿耐量；优越的开关性能；该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD1404；封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。

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