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ARKmicro 方舟微电子 MOSFET 总共筛选出12条产品数据展开查看
- ARK （方舟微） DMX0615E 耗尽型MOSFET
  
  耗尽型MOSFET_N-Channel_70V_0.1A_1.0W_SOT-89
- ARK （方舟微） DMZ1015E 耗尽型MOSFET
  
  耗尽型MOSFET_N-Channel_100V_0.1A_0.5W_SOT-23
- ARK （方舟微） DMX1015E 耗尽型MOSFET
  
  耗尽型MOSFET_N-Channel_100V_0.1A_1.0W_SOT-89
- ARK （方舟微） DMZ6005E 耗尽型MOSFET
  
  耗尽型MOSFET_N Channel Depletion Mode_600V_0.02A_0.5W_SOT-23
- ARK （方舟微） DMZ6012E 耗尽型MOSFET
  
  耗尽型MOSFET_N-Channel_600V_0.04A_0.5W_SOT-23
Silan 士兰微 MOSFET 总共筛选出6条产品数据展开查看
- Silan 士兰微 3VD768600SPYH 高压MOSFET芯片
  
  3VD768600SPYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；采用士兰DPMOS工艺平台制造；较低的导通电阻；较低的传导损耗和开关损耗；开关速度快；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。
- Silan 士兰微 3VD672600SYH 高压MOSFET芯片
  
  3VD672600SYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；采用士兰DPMOS工艺平台制造；较低的导通电阻；较低的传导损耗和开关损耗；开关速度快；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。
- Silan 士兰微 3VD672600SFYH-8 高压MOSFET芯片
  
  3VD672600SFYH-8为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；采用士兰DPMOS工艺平台制造；较低的导通电阻；内置快恢复体二极管；较低的传导损耗和开关损耗；开关速度快；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。
- Silan 士兰微 3VD524600SYH 高压MOSFET芯片
  
  3VD524600SYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；采用士兰DPMOS工艺平台制造；较低的导通电阻；较低的传导损耗和开关损耗；开关速度快；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。
- Silan 士兰微 3VD484600SYH-8 高压MOSFET芯片
  
  3VD484600SYH-8为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；采用士兰DPMOS工艺平台制造；较低的导通电阻；较低的传导损耗和开关损耗；开关速度快；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。