铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破

近期，北京铭镓半导体有限公司使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。

同时，公司光学晶体已完成中试，开始转型规模化量产，其生产的掺杂人工光学晶体已获得国内国外客户的广泛认可，另外磷化铟多晶材料产线也已上线运营，完成重点客户认证工作，并获得客户的长期稳定性订单。