近日，有消息称，三星电子研发出了透光率高达88%的EUV光罩防尘薄膜，并且已经可以大规模生产，以应对未来需求，丰富供应链。
据了解，EUV光罩防尘薄膜可以在晶圆制造过程中保护掩模免受灰尘影响，最大限度地减少工艺污染并减少光掩模损坏，对于5nm或以下节点制程的先进制程技术的良率表现至关重要。
ASML在2016年首次开发出光罩防尘薄膜，当时的透光率为78%。在2018年，薄膜透光率提升至80%。在2021年5月，ASML透露，已经开始供应透光率超90%的光罩防尘薄，以提升EUV光刻机的效率。据悉，这款光罩防尘薄膜是ASML与Teradyne联合研发的，由日本三井化学代工，已经通过了400瓦测试，单价2.6万美元左右。
三星此前就表示，将在其3nm工艺中采用透光率超过90%的最新EUV光罩防尘薄膜以提高良率，这些光罩防尘薄膜将来自韩国公司S&S Tech。而此次三星成功自研出透射率为88%的光罩防尘薄膜，有望打破ASML和三井化学对EUV光罩防尘薄膜市场的垄断。三星还在积极投资韩国的材料厂商S&S TECH和FST，助力其在EUV光罩防尘薄膜方面的发展。预计，韩国EUV光罩防尘薄膜最早将在一到两年内实现商业化并应用于量产线。
此外，12月15日，同为韩国的半导体和显示材料开发商-石墨烯实验室(Graphene Lab)开发出了基于一款石墨烯制造的EUV光罩防尘薄膜。Graphene Lab表示，石墨烯制造的光罩保护膜比硅更薄、更透明。有望显著提高ASML的EUV系统生产芯片的良率。