【2023 年 7 月 19 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出 DMWSH120H90SM4Q 和 DMWSH120H28SM4Q 两款符合汽车规格的碳化硅 (SiC) MOSFET，进一步强化宽能隙 (Wide-Bandgap) 产品阵容。此系列 N 信道 MOSFET 产品可满足市场对 SiC 解决方案不断增长的需求，提升电动与混合动力汽车 (EV/HEV) 车用子系统的效率及功率密度，例如二极管 (Body Diodes)，具有低反向复原电荷 (Qrr)，在 DMWSH120H90SM4Q 中为 108.52nC，在 DMWSH120H28SM4Q 中为 317.93nC，因此能够执行快速切换，同时降低功率损耗。
Diodes 采用平面制造技术开发出全新 MOSFET，能在汽车产品应用中提供强大与可靠的效能，提高汲极电流、崩溃 (Breakdown) 电压、接面温度及功率环形电路，表现优于先前发布的版本。此系列装置采用 TO247-4 (WH 型) 封装，提供额外的凯氏感测 (Kelvin-sensing) 接脚。可连接至源极以优化切换效能，实现更高的功率密度。
DMWSH120H90SM4Q 与 DMWSH120 H28SM4Q 均符合 AEC-Q101 标准，由 IATF 16949 认证的设施制造，并支持 PPAP 文件。