据外媒，当地时间7月26日，美光科技宣布其首款8-high 24GB HBM3 Gen2内存产品已开始送样，带宽大于1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比目前推出的HBM3解决方案提高50%，其每瓦性能比前几代产品提高了2.5倍。
据介绍，美光科技HBM Gen2解决方案采用1β(1-beta)DRAM工艺节点，将24Gb DRAM芯片组装到行业标准封装尺寸内的8-high立方体中。此外，美光科技的12层垂直堆叠的单品36GB DRAM芯片将于2024年第一季度开始提供样品。
据美光公布的技术路线图，2026年的“HBMNext”将进一步提高容量，可达到36GB至64GB，带宽将提升至超过1.5TB/s至2+TB/s。