据新华网报道，日前，三安光电宣布旗下湖南三安在碳化硅产品上再取得阶段性进展，实现了8英寸衬底准量产，部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。
据悉，在大尺寸碳化硅衬底方面，湖南三安8英寸碳化硅衬底已完成开发，依托精准热场控制的自主PVT工艺，实现了更低成本及更低缺陷密度，产品进入小批量生产及送样阶段，后续将继续注重良率提升，加快设备调试与工艺优化，并持续推进湖南与重庆工厂量产进程。
在碳化硅MOSFET方面，推出了650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET产品，可根据客制化要求提供多种灵活工艺方案。其中,1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆变器的辅助电源，1200V/75mΩ MOSFET主要应用于新能源汽车的OBC，两款产品均已处于客户端导入阶段，将逐步批量供货；1200V /16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验证。
此外，湖南三安与意法半导体在重庆设立三安意法半导体（重庆）有限公司，专门生产8英寸碳化硅晶圆，预计2025年完成阶段性建设并投产，2028年达产。