美国纽约州立大学布法罗分校（University at Buffalo, the State University of New York）的研究人员使用“配位外延”（dative epitaxy）技术，在超薄的二硒化钨薄膜上生长了一层超薄的碲化铬，将两种不同晶体材料相互叠加在一起。
研究人员发现，配位外延技术通过材料之间的范德华力将不同材料结合在一起，且会产生“配位键”（dative bonds）。该技术可以用于各种化合物半导体薄膜的高质量外延生长，对半导体、量子技术和可再生能源领域产生深远的影响。
相关研究在 Advanced Materials上发表。
UB已经提交了对位外延方法的临时专利申请，并希望通过与行业和研究合作伙伴的合作来扩大这项研究。获 取 更多前沿科技 研究 进展访问：https://byteclicks.com
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