COMPUTEX 2025期间，AI基础建设当仁不让的成为了重要话题。特别是随着AI应用的不断挖掘，AI算力设施就像是互联网设施、电力设施一般变得不可替代，如何将数据中心升级成AI工厂已经成为行业考虑的问题。
当DeepSeek等AI新方案崛起，AI基础设施的重心不再过分倚重于GPU单一硬件，而是分配更多的资源到强大的并行能力、存储方案中，以解决更为细分的应用场景，当雪藏的数据被重新启用，由冷数据变成温数据的时候，机械硬盘开始难以承担高速读写和数据传输的重任，在机械硬盘和固态硬盘中间找到成本、容量、性能的平衡点变得非常重要，企业级的QLC技术进而被推向前台。
QLC技术推向市场已经有一段时间，但以往的QLC受限于技术原因，读写速度和寿命均受到诟病，以至于很长时间内难以在企业级市场得到推广。随着近年来半导体工艺制成技术的不断提升，存储密度和逻辑电路不断优化和升级，QLC的可靠性和读写速率都得到了质的飞跃。例如铠侠通过CBA(CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列)技术将存储单元与逻辑单元分配到两个晶圆上分别制造，从而可以根据不同单元的制造特性优化流程，并获得更好的效能。
值得注意的是，铠侠第八代BiCS FLASH™ TLC和QLC产品均使用了CBA技术，从而实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8Gb/s。此外，该技术也显著提升了数据输入/输出的能效，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，成功实现了高性能与低功耗的最优平衡。
以此为基础，基于铠侠第八代BiCS FLASH™ QLC NAND的铠侠LC9系列固态硬盘在近期发布，让存储容量来到了122.88TB，0.3DWPD耐久度，支持双端口2.5英寸外形尺寸，并符合NVMe™ 2.0、NVMe-MI™ 和PCIe® 5.0 规范(支持Gen5 单 x4、双 x2配置，最高可达128 GT/s)。
得益于铠侠第八代BiCS FLASH™ QLC NAND的高效传输，铠侠LC9系列固态硬盘很好的兼顾了性能和价格，为AI计算温数据提供了海量的存储空间，进而加速AI应用落地，为企业客户抢占更多市场先机。
如果追求更高性能，与铠侠LC9系列同期推出的铠侠CM9系列非常值得关注，这款产品铠侠第八代BiCS FLASH™ TLC NAND打造，与上一代 KIOXIA CM7 系列相比，KIOXIA CM9 系列固态硬盘的随机写入性能提升高达 65%，随机读取性能提升高达 55%，顺序写入性能提升高达 95%。此外，其每瓦性能也得到提升：顺序读取效率提升约 55%，顺序写入效率提升约 75%。
同样，铠侠CM9系列符合 PCIe® 5.0、NVMe™ 2.0、NVMe-MI™ 1.2c 和 OCP 数据中心 NVMe™ SSD 2.5 规范，支持 2.5 英寸和 E3.S 外形尺寸的双端口，顺序读写性能(128 KiB/QD32)– 读取速度 14.8 GB/s，写入速度 11 GB/s，随机性能(4KiB)达到 3,400 KIOPS (QD512) 和 800 KIOPS (QD32)，是优秀的旗舰级产品， 2.5 英寸容量高达 61.44 TB，E3.S 容量高达 30.72 TB，是一款表现优秀的企业级固态硬盘。
无论TLC还是QLC技术，铠侠企业级和数据中心级固态硬盘，已经给客户的AI应用准备好了更为高效、可靠的存储解决方案。通过与行业合作伙伴不断加深合作，不断挖掘数据存储效率新价值，为AI计算提供可靠的存储后盾，探索更多AI的可能性。