Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:35 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:6000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD |
资格:AEC-Q101 |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:45 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:1.100 g |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:3 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:4000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:5 mm |
高度:6.4 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:55 uA |
半强度角度:65 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.9 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
长度:6.4 mm |
高度:1.2 mm |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:55 deg |
单位重量:713.222 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:910 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:35 deg |
单位重量:275.357 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:- |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD |
资格:AEC-Q101 |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:75 deg |
单位重量:43 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Cut Tape |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:10 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:60 ns |
下降时间:80 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:1.8 uA |
半强度角度:70 deg |
单位重量:1.430 g |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:0805 |
峰值波长:840 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:10 pA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD |
资格:AEC-Q101 |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:35 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:504.492 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.9 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
长度:6.4 mm |
高度:1.2 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:75 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:4 ns |
下降时间:4 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:12 uA |
半强度角度:15 deg |
响应率:0.6 A/W |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:2 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:TEMD |
长度:2.5 mm |
高度:2.7 mm |
Pd-功率耗散:240 mW |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:30 ns |
下降时间:30 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:65 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Reel |
峰值波长:820 nm |
工厂包装数量:5000 |
暗电流:200 pA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
系列:VEM |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:45 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:823.300 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:4.3 mm |
封装:Tube |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:1800 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:4.65 mm |
高度:2 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:3 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:21.250 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:1.25 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:PIN Photodiode |
系列:TEMD |
资格:AEC-Q101 |
长度:2 mm |
高度:0.85 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:35 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:191.170 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.9 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
长度:6.4 mm |
高度:1.2 mm |
Pd-功率耗散:240 mW |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:30 ns |
下降时间:30 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:65 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Reel |
峰值波长:840 nm |
工厂包装数量:5000 |
暗电流:200 pA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
系列:VEM |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:35 deg |
单位重量:5.844 g |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:6000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD |
资格:AEC-Q101 |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:55 uA |
半强度角度:65 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.9 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
长度:6.4 mm |
高度:1.2 mm |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:65 deg |
单位重量:391.410 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD5110X01 |
资格:AEC-Q101 |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :32 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:9.5 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:86.024 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD |
资格:AEC-Q101 |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:70 ns |
下降时间:70 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:65 uA |
半强度角度:60 deg |
响应率:0.6 A/W |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:5 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:4000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 55 C |
长度:4.5 mm |
高度:6 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:240 mW |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:30 ns |
下降时间:30 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:26 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:182.800 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Cut Tape |
封装 / 箱体:SMD-4 |
峰值波长:840 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:200 pA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD |
资格:AEC-Q101 |
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