Pd-功率耗散:200 mW |
上升时间:14 us |
下降时间:14 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:- |
半强度角度:10 deg |
单位重量:0.400 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.9 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:870 nm |
工作电源电压:- |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:6.3 mA |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:870 nm |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
输出电流:- |
透镜颜色/类型:Black |
长度:5.9 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
零件号别名:Q62702P5196 |
高度:9 mm |
Pd-功率耗散:150 mW |
上升时间:7 us, 9 us |
下降时间:7 us, 9 us |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:55 deg |
单位重量:200 mg |
商标:ams OSRAM |
宽度:5.5 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-18 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:100 mA |
暗电流:50 nA |
最大工作温度:+ 80 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:Chip |
透镜颜色/类型:Transparent |
长度:5.5 mm |
零件号别名:Q62702P3577 |
高度:3.6 mm |
Pd-功率耗散:165 mW |
上升时间:7 us |
下降时间:7 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:- |
半强度角度:12 deg |
单位重量:200 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:4 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:900 nm |
工作电源电压:- |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:15 mA |
弱电流:2 mA |
暗电流:15 mA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:900 nm |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
资格:AEC-Q101 |
输出电流:- |
透镜颜色/类型:Black |
长度:4 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
集电极—射极击穿电压:35 V |
集电极—射极饱和电压:200 mV |
零件号别名:Q62702P0178 |
高度:5.2 mm |
Pd-功率耗散:- |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:60 deg |
单位重量:12 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:2.7 mm |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:SMT |
峰值波长:570 nm |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:20 mA |
弱电流:3.2 uA |
暗电流:50 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:570 nm |
湿度敏感性:Yes |
类型:Chip |
资格:AEC-Q101 |
长度:2.1 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:5.5 V |
集电极—射极击穿电压:5.5 V |
集电极—射极饱和电压:100 mV |
零件号别名:Q65110A1211 |
高度:1.05 mm |
Pd-功率耗散:130 mW |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:20 deg |
单位重量:23 mg |
商标:ams OSRAM |
宽度:2.35 mm |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:MIDLED |
峰值波长:990 nm |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:15 mA |
暗电流:50 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Chip |
资格:AEC-Q101 |
长度:3.3 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
零件号别名:Q65110A1573 SFH 3600 Q65110A1573 |
高度:1.7 mm |
Pd-功率耗散:200 mW |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:8 deg |
单位重量:300 mg |
商标:ams OSRAM |
宽度:5.6 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-18 |
峰值波长:830 nm |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:100 mA |
暗电流:50 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:Chip |
长度:5.6 mm |
零件号别名:Q60215Y0062 |
高度:6.2 mm |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:76 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:2000 |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65110A2484 SFH 325-4 Q65110A2484 |
Pd-功率耗散:165 mW |
上升时间:8 us |
下降时间:8 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:- |
半强度角度:12 deg |
单位重量:200 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:4 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:860 nm |
工作电源电压:- |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:15 mA |
弱电流:3.2 mA |
暗电流:15 mA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:860 nm |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
资格:AEC-Q101 |
输出电流:- |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:4 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
集电极—射极击穿电压:35 V |
集电极—射极饱和电压:200 mV |
零件号别名:Q62702P3593 |
高度:5.2 mm |
Pd-功率耗散:200 mW |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:- |
半强度角度:40 deg |
单位重量:300 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.9 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:870 nm |
工作电源电压:- |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:2.5 mA |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:870 nm |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
资格:AEC-Q101 |
输出电流:- |
透镜颜色/类型:Black |
长度:5.9 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
零件号别名:Q62702P1675 |
高度:6.9 mm |
Pd-功率耗散:- |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:- |
半强度角度:75 deg |
单位重量:200 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:4 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:570 nm |
工作电源电压:- |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:20 mA |
弱电流:460 uA |
暗电流:3 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:570 nm |
类型:Ambient Light Sensor with V-lambda Characteristics |
资格:AEC-Q101 |
输出电流:- |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:4 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:5.5 V |
集电极—射极击穿电压:5.5 V |
集电极—射极饱和电压:100 mV |
零件号别名:Q65110A5343 |
高度:3.1 mm |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:3.760 g |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:3000 |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65110A3107 SFH 3710 Q65110A3107 |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:3.760 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:3000 |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65110A3511 SFH 3710-3/4 Q65110A3511 |
Pd-功率耗散:200 mW |
上升时间:10 us |
下降时间:10 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:25 deg |
单位重量:300 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.9 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:880 nm |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
暗电流:50 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:880 nm |
类型:IR Chip |
资格:AEC-Q101 |
长度:5.9 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
集电极—射极击穿电压:35 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
零件号别名:Q62702P3585 |
高度:9 mm |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:76 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:2000 |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65110A2490 SFH 325 FA-3/4 Q65110A2490 |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:25 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:2000 |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65110A2470 SFH 320 FA-3 Q65110A2470 |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:76 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:2000 |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65110A2487 SFH 325 FA Q65110A2487 |
Pd-功率耗散:165 mW |
上升时间:7 us |
下降时间:7 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:- |
半强度角度:12 deg |
单位重量:200 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:4 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:860 nm |
工作电源电压:- |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:15 mA |
弱电流:2 mA |
暗电流:15 mA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:860 nm |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
资格:AEC-Q101 |
输出电流:- |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:4 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
集电极—射极击穿电压:35 V |
集电极—射极饱和电压:200 mV |
零件号别名:Q62702P3592 |
高度:5.2 mm |
Pd-功率耗散:165 mW |
上升时间:7 us |
下降时间:7 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:- |
半强度角度:12 deg |
单位重量:200 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:4 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:900 nm |
工作电源电压:- |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:15 mA |
弱电流:2 mA |
暗电流:15 mA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:900 nm |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
资格:AEC-Q101 |
输出电流:- |
透镜颜色/类型:Black |
长度:4 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
集电极—射极击穿电压:35 V |
集电极—射极饱和电压:200 mV |
零件号别名:Q62702P3590 |
高度:5.2 mm |
Pd-功率耗散:200 mW |
上升时间:10 us |
下降时间:10 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:25 deg |
单位重量:300 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.9 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:880 nm |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
暗电流:50 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:880 nm |
类型:Chip |
资格:AEC-Q101 |
长度:5.9 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
集电极—射极击穿电压:35 V |
集电极—射极饱和电压:- |
零件号别名:Q62702P1189 |
高度:9 mm |
Pd-功率耗散:165 mW |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:- |
半强度角度:25 deg |
单位重量:200 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:3.4 mm |
寿命周期:寿命结束: 将过时且制造商将停产。 |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:880 nm |
工作电源电压:- |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:3.2 mA |
暗电流:50 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:880 nm |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
输出电流:- |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:3.4 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
集电极—射极击穿电压:35 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
零件号别名:Q62702P0874 |
高度:4.8 mm |
Pd-功率耗散:- |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:60 deg |
单位重量:12 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:2.7 mm |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:DIL-3 |
峰值波长:570 nm |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:20 mA |
弱电流:16 uA |
暗电流:50 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:570 nm |
湿度敏感性:Yes |
类型:Chip |
资格:AEC-Q101 |
长度:2.1 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:5.5 V |
集电极—射极击穿电压:5.5 V |
集电极—射极饱和电压:100 mV |
零件号别名:Q65110A2654 |
高度:1.05 mm |
Pd-功率耗散:165 mW |
上升时间:8 us |
下降时间:8 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:- |
半强度角度:60 deg |
单位重量:100 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:2.8 mm |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:PLLC-2 |
峰值波长:980 nm |
工作电源电压:- |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:15 mA |
弱电流:80 uA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:950 nm |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
资格:AEC-Q101 |
输出电流:- |
透镜颜色/类型:Black |
长度:3.2 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
集电极—射极击穿电压:35 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
零件号别名:Q65110A2526 SFH 3211 FA Q65110A2526 |
高度:1.9 mm |
Pd-功率耗散:200 mW |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:- |
半强度角度:10 deg |
单位重量:400 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.9 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:870 nm |
工作电源电压:- |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:2.5 mA |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:870 nm |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
资格:AEC-Q101 |
输出电流:- |
透镜颜色/类型:Black |
长度:5.9 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
零件号别名:Q62702P1674 |
高度:9 mm |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:76 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:2000 |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65110A2482 SFH 325 FA-3 Q65110A2482 |
Pd-功率耗散:165 mW |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:- |
半强度角度:12 deg |
单位重量:200 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:4 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:860 nm |
工作电源电压:- |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:15 mA |
弱电流:5 mA |
暗电流:15 mA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:860 nm |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
资格:AEC-Q101 |
输出电流:- |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:4 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
集电极—射极击穿电压:35 V |
集电极—射极饱和电压:200 mV |
零件号别名:Q62702P0859 |
高度:5.2 mm |
查看更多