Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:237.857 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:6000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:2.7 mA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:860 nm |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
系列:VEMT |
资格:AEC-Q101 |
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V |
集电极—射极击穿电压:20 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
Pd-功率耗散:100 mW |
上升时间:6 us |
下降时间:2 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:60 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:PLCC-3 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:7500 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:500 uA |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:850 nm |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMT |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:140.702 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:6000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:2.7 mA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:850 nm |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
系列:VEMT |
资格:AEC-Q101 |
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V |
集电极—射极击穿电压:20 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
Pd-功率耗散:250 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:40 deg |
单位重量:380.418 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.5 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-18 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:800 uA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:850 nm |
类型:Chip |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:5.5 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
高度:5.2 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:6000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:2.7 mA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:850 nm |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
系列:VEMT |
资格:AEC-Q101 |
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V |
集电极—射极击穿电压:20 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
Pd-功率耗散:100 mW |
上升时间:6 us |
下降时间:6 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Cut Tape |
封装 / 箱体:PLCC-2 |
工厂包装数量:7500 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:500 uA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:940 nm |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
系列:VEMT |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:925 nm |
弱电流:3.2 mA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:NPN Phototransistor |
系列:TEF |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极击穿电压:70 V |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:346.060 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:6000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:2.7 mA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:860 nm |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
系列:VEMT |
资格:AEC-Q101 |
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V |
集电极—射极击穿电压:20 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:40 deg |
单位重量:118 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:2.4 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-3/4 |
峰值波长:825 nm |
工厂包装数量:5000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:140 uA |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:825 nm |
类型:Chip |
透镜颜色/类型:Water Clear |
长度:3.3 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V |
集电极—射极击穿电压:32 V |
集电极—射极饱和电压:300 mV |
高度:2.2 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:206.459 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:3000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
弱电流:2.7 mA |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:850 nm |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
系列:VEMT |
资格:AEC-Q101 |
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V |
集电极—射极击穿电压:20 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:3000 |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:Cut Tape |
工厂包装数量:7500 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
湿度敏感性:Yes |
Pd-功率耗散:150 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:20 deg |
单位重量:383.324 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.75 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:4000 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:850 nm |
类型:Chip |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:5.75 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V |
集电极—射极饱和电压:300 mV |
高度:8.6 mm |
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