Vishay VEMT3704F-GS08 Phototransistors
光电晶体管 NPN Phototransistor PLCC-2
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2024-12-20 21:00:11
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VEMT3704F-GS08
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Vishay 威世
产品介绍
VEMT3704F-GS08 Phototransistors选型参数
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| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Pd-功率耗散 | 100 mW | |
| 上升时间 | 6 us | |
| 下降时间 | 6 us | |
| 产品 | Phototransistors | |
| 产品种类 | 光电晶体管 | |
| 商标 | Vishay Semiconductors | |
| 安装风格 | SMD/SMT | |
| 封装 | Cut Tape | |
| 封装 / 箱体 | PLCC-2 | |
| 工厂包装数量 | 7500 | |
| 开启状态集电极最大电流 | 50 mA | |
| 弱电流 | 500 uA | |
| 暗电流 | 1 nA | |
| 最大工作温度 | + 100 C | |
| 最小工作温度 | - 40 C | |
| 波长 | 940 nm | |
| 类型 | Silicon NPN Phototransistor | |
| 系列 | VEMT | |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 70 V | |
| 集电极—射极击穿电压 | 70 V | |
| 集电极—射极饱和电压 | 150 mV |
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