光电晶体管 Photo Transistor
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2025-10-06 00:15:44
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OP800B
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TT Electronics
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TT Electronics
产品介绍
OP800B PhototransistorsOptical Detectors & Sensors选型参数
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| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Pd-功率耗散 | 250 mW | |
| 上升时间 | 7 us | |
| 下降时间 | 7 us | |
| 产品 | Phototransistors | |
| 产品种类 | 光电晶体管 | |
| 单位重量 | 1.345 g | |
| 商标 | Optek / TT Electronics | |
| 安装风格 | Through Hole | |
| 宽度 | 4.75 mm | |
| 封装 | Bulk | |
| 封装 / 箱体 | TO-18-3 | |
| 峰值波长 | 890 nm | |
| 工厂包装数量 | 1000 | |
| 开启状态集电极最大电流 | 5.4 mA | |
| 暗电流 | 100 nA | |
| 最大工作温度 | + 125 C | |
| 最小工作温度 | - 65 C | |
| 波长 | 890 nm | |
| 类型 | NPN Silicon Phototransistor | |
| 长度 | 4.75 mm | |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 30 V | |
| 集电极—射极击穿电压 | 30 V | |
| 高度 | 7.61 mm |
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OP800B PhototransistorsOptical Detectors & Sensors资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| OP800-3241422 | 1.20 MB | 下载 |
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