产品种类:光电晶体管 |
单位重量:381.806 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
封装:Bulk |
工厂包装数量:500 |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:189.097 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:2.54 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Sidelooker |
峰值波长:935 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:930 nm |
类型:NPN Silicon Phototransistor |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:4.57 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
高度:5.84 mm |
Pd-功率耗散:250 mW |
上升时间:7 us |
下降时间:7 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:1.345 g |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:4.75 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-18-3 |
峰值波长:890 nm |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:5.4 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 65 C |
波长:890 nm |
类型:NPN Silicon Phototransistor |
长度:4.75 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
高度:7.61 mm |
Pd-功率耗散:250 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:324 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-18-2 |
峰值波长:890 nm |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:4 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:890 nm |
类型:NPN Silicon Phototransistor |
透镜颜色/类型:Blue |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
高度:5.84 mm |
Pd-功率耗散:50 mW |
上升时间:15 us |
下降时间:15 us |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:715.250 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
宽度:1.57 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Pill |
工厂包装数量:800 |
开启状态集电极最大电流:50 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 65 C |
类型:Chip |
长度:2.34 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V |
高度:2.92 mm |
Pd-功率耗散:200 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Sidelooker |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:7 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:935 nm |
类型:NPN Silicon Phototransistor |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:156 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Sidelooker |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:4.7 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:930 nm |
类型:NPN Silicon Phototransistor |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
Pd-功率耗散:250 mW |
上升时间:7 us |
下降时间:7 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:572.200 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-18-2 |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 65 C |
集电极—发射极最大电压 VCEO:5 V |
集电极—射极击穿电压:15 V |
集电极—射极饱和电压:1.2 V |
Pd-功率耗散:50 mW |
上升时间:15 us |
下降时间:15 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Optek / TT Electronics |
封装:Bulk |
工厂包装数量:400 |
开启状态集电极最大电流:1.8 mA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 65 C |
波长:890 nm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V |
集电极—射极击穿电压:25 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Optek / TT Electronics |
封装:Bulk |
工厂包装数量:500 |
Pd-功率耗散:50 mW |
上升时间:20 us |
下降时间:20 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:18 deg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Panel Mount |
宽度:1.57 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Pill |
工厂包装数量:100 |
弱电流:7 mA |
暗电流:25 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 55 C |
类型:High Reliability Silicon Transistor |
长度:2.34 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V |
集电极—射极击穿电压:50 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
高度:2.92 mm |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Optek / TT Electronics |
工厂包装数量:100 |
Pd-功率耗散:250 mW |
上升时间:7 us |
下降时间:7 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-18-2 |
工厂包装数量:1000 |
开启状态集电极最大电流:3 mA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 65 C |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
高度:5.13 mm |
Pd-功率耗散:250 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:309.080 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-18-2 |
峰值波长:890 nm |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:10 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:890 nm |
类型:NPN Silicon Phototransistor |
透镜颜色/类型:Blue |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
高度:5.84 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:136.224 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Endlooker |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:890 nm/ 935 nm |
类型:NPN Silicon Phototransistor |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
Pd-功率耗散:250 mW |
上升时间:7 us |
下降时间:7 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-18-2 |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 65 C |
集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V |
集电极—射极击穿电压:15 V |
集电极—射极饱和电压:1.2 V |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:1.628 g |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1-2 |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:LED and Photosensor Pairs |
系列:OPS66x |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
高度:5.08 mm |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Optek / TT Electronics |
封装:Bulk |
工厂包装数量:500 |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:286.100 mg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:3.18 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1-2 |
峰值波长:935 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:935 nm |
类型:NPN Silicon Phototransistor |
透镜颜色/类型:Blue |
长度:4.19 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
高度:3.18 mm |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Optek / TT Electronics |
工厂包装数量:100 |
Pd-功率耗散:50 mW |
上升时间:20 us |
下降时间:20 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:18 deg |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Panel Mount |
宽度:1.57 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Pill |
工厂包装数量:100 |
弱电流:7 mA |
暗电流:25 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 55 C |
类型:High Reliability Silicon Transistor |
长度:2.34 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V |
集电极—射极击穿电压:50 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
高度:2.92 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1-2 |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:LED and Photosensor Pairs |
系列:OPS66x |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:30 V |
集电极—射极饱和电压:400 mV |
高度:5.08 mm |
Pd-功率耗散:100 mW |
上升时间:2.5 us |
下降时间:2.5 us |
产品:Phototransistors |
产品种类:光电晶体管 |
单位重量:12.838 g |
商标:Optek / TT Electronics |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:SMD/SMT |
工厂包装数量:578 |
弱电流:36 uA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 55 C |
湿度敏感性:Yes |
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V |
集电极—射极击穿电压:5 V |
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