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光电晶体管 Photo Transistor

光电晶体管 Photo Transistor

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2025-10-02 18:20:37

OP508FA PhototransistorsOptical Detectors & Sensors选型参数

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Pd-功率耗散 100 mW
产品 Phototransistors
产品种类 光电晶体管
单位重量 136.224 mg
商标 Optek / TT Electronics
安装风格 Through Hole
封装 Bulk
封装 / 箱体 Endlooker
工厂包装数量 1000
暗电流 100 nA
最大工作温度 + 100 C
最小工作温度 - 40 C
波长 890 nm/ 935 nm
类型 NPN Silicon Phototransistor
集电极—发射极最大电压 VCEO 30 V
集电极—射极击穿电压 30 V
集电极—射极饱和电压 400 mV

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