| 类型:CMOS | 像素大小:3µm x 3µm | 有源像素阵列:1928H x 1088V | 
| 每秒帧数:60 | 封装/外壳:48-LCC | 供应商器件封装:48-mPLCC(11.43x11.43) | 
| 类型:CMOS | 像素大小:3µm x 3µm | 每秒帧数:60 | 
| 工作温度:-40°C ~ 110°C | 
| 类型:CMOS | 像素大小:3.2µm x 3.2µm | 有源像素阵列:4096H x 3072V | 
| 每秒帧数:90 | 电压 - 供电:1.1V ~ 1.3V | 封装/外壳:163-BCLGA | 
| 供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) | 工作温度:-40°C ~ 85°C | 
| 类型:CMOS | 像素大小:3.2µm x 3.2µm | 有源像素阵列:3072H x 3072V | 
| 每秒帧数:90 | 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V,2.7V ~ 2.9V | 封装/外壳:163-BCLGA | 
| 供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) | 
| 类型:CMOS | 像素大小:4.8µm x 4.8µm | 有源像素阵列:1920H x 1080V | 
| 每秒帧数:92 | 电压 - 供电:1.8V,3.3V | 封装/外壳:52-LCC | 
| 供应商器件封装:52-PLCC(19.1x19.1) | 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) | 
| 类型:CMOS | 像素大小:3µm x 3µm | 有源像素阵列:1344H x 968V | 
| 每秒帧数:30 | 封装/外壳:80-LFBGA | 供应商器件封装:80-IBGA(9x9) | 
| 类型:CMOS | 像素大小:3.2µm x 3.2µm | 有源像素阵列:3072H x 3072V | 
| 每秒帧数:90 | 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V,2.7V ~ 2.9V | 封装/外壳:163-BCLGA | 
| 供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) | 
| 类型:CMOS | 像素大小:3.2µm x 3.2µm | 有源像素阵列:4096H x 2160V | 
| 每秒帧数:128 | 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V,2.7V ~ 2.9V | 封装/外壳:163-BCLGA | 
| 供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) | 
| 类型:CMOS | 像素大小:9.9µm x 9.9µm | 有源像素阵列:640H x 480V | 
| 每秒帧数:250 | 电压 - 供电:2.5V ~ 3.3V | 封装/外壳:48-LCC | 
| 供应商器件封装:48-LCC(14.22x14.22) | 工作温度:-40°C ~ 70°C(TA) | 
| 类型:CMOS | 像素大小:4.5µm x 4.5µm | 有源像素阵列:5120H x 5120V | 
| 每秒帧数:53 | 电压 - 供电:1.8V,3.3V | 封装/外壳:355-BSPGA,窗口 | 
| 供应商器件封装:355-µPGA | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) | 
| 类型:CMOS | 像素大小:4.5µm x 4.5µm | 有源像素阵列:4096H x 4096V | 
| 每秒帧数:80 | 电压 - 供电:1.8V ~ 3.3V | 封装/外壳:355-BSPGA,窗口 | 
| 供应商器件封装:355-µPGA | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) | 
| 类型:CMOS | 像素大小:3µm x 3µm | 有源像素阵列:1280H x 800V | 
| 每秒帧数:60 | 封装/外壳:69-WFBGA,CSPBGA | 供应商器件封装:69-ODCSP(5.55x5.57) | 
| 类型:CMOS | 像素大小:18µm x 18µm | 有源像素阵列:1024H x 1024V | 
| 每秒帧数:10 | 电压 - 供电:3.3V | 封装/外壳:84-CLCC 窗口(J 形引线) | 
| 供应商器件封装:84-JLCC(26.8x26.8) | 工作温度:-40°C ~ 85°C | 
| 类型:CMOS | 像素大小:12µm x 12µm | 有源像素阵列:2048H x 2048V | 
| 每秒帧数:15 | 电压 - 供电:2.5V,3.3V | 封装/外壳:127-BPGA | 
| 供应商器件封装:127-PGA(42x42) | 工作温度:0°C ~ 60°C(TA) | 
| RoHS:Y | 类型:Image Sensors | 说明:图像传感器 VGA 1/3 GS CIS Image Sensor | 
| 寿命周期:新产品:
                                    此制造商的新产品。 | 最大工作温度:+ 105 C | 最小工作温度:- 40 C | 
| 封装 / 箱体:IBGA-52 | 封装:Tray | 商标:ON Semiconductor | 
| 工作电源电压:3.3 V | 工厂包装数量:5 | 电源电压-最大:3.6 V | 
| 电源电压-最小:3 V | 子类别:Sensors | 产品类型:Image Sensors | 
| 分辨率:WVGA | 
| RoHS:Y | 类型:Image Sensors | 说明:图像传感器 1MP 1/3 CIS SO Image Sensor | 
| 寿命周期:新产品:                                    此制造商的新产品。 | 封装 / 箱体:IBGA-63 | 封装:Tray | 
| 商标:ON Semiconductor | 工厂包装数量:5 | 子类别:Sensors | 
| 产品类型:Image Sensors | 分辨率:1.2 Megapixels | 
| RoHS:Y | 类型:Image Sensors | 说明:图像传感器 1.2 MP 1/3 GS CIS Image Sensor | 
| 寿命周期:新产品:                                    此制造商的新产品。 | 最大工作温度:+ 70 C | 最小工作温度:- 30 C | 
| 封装 / 箱体:ILCC-48 | 封装:Tray | 商标:ON Semiconductor | 
| 工作电源电压:1.8 V | 工厂包装数量:5 | 电源电压-最大:1.95 V | 
| 电源电压-最小:1.7 V | 子类别:Sensors | 产品类型:Image Sensors | 
| 分辨率:1.2 Megapixels | 
| RoHS:Y | 类型:Image Sensors | 说明:图像传感器 1.2 MP 1/3 CIS Image Sensor | 
| 寿命周期:新产品:
                                    此制造商的新产品。 | 最大工作温度:+ 70 C | 最小工作温度:- 30 C | 
| 封装 / 箱体:PLCC-48 | 封装:Tray | 商标:ON Semiconductor | 
| 工作电源电压:1.8 V | 工厂包装数量:5 | 电源电压-最大:1.95 V | 
| 电源电压-最小:1.7 V | 子类别:Sensors | 产品类型:Image Sensors | 
| 分辨率:1.2 Megapixels | 
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