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严选3D NAND厂家，提供从3D NAND设计、研发、生产制造深耕产品，打造值得信赖的传感器品牌，解决选品、技术支持问题，实现采购放心、售后无忧。

Unimos 宏茂微

类型：制造商服务商 产品数量：0

宏茂微拥有全系列存储器封测的一站式解决方案，产品覆盖3D NAND（Raw NAND，eMMC，UFS，eMCP）、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。 2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。 2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。主要产品覆盖3D NAND（Raw NAND，eMMC，UFS，eMCP)、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试应用领域消费电子、工业控制、物联网设备、汽车电子等领域
Yangtze Memory 长江存储

类型：制造商 产品数量：0

长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心。致力于成为存储技术的领先者全球半导体产业的核心价值贡献者2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。 2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。 * 发布之时指2020年4月10日，业界指全球全部3D NAND闪存颗粒原厂，最高的I/O速度指1600MT/s，符合当时ONFI最高标准，最高存储密度指当时业界相同容量的芯片横向对比中长江存储X2-9070
Core Storage 兆芯电子

类型：制造商 产品数量：0

2016年11月，发布支持2D NAND SSD方案；2017年7月，发布支持3D NAND eMMC方案和支持3D NAND SATA SSD方案。杰出的经营策略构成了具竞争力的条件。
Normem 诺存微电子

类型：制造商 产品数量：0

诺存是全球最早提出3D NOR闪存架构的IC设计公司之一，并已研发成功世界首款3D NOR闪存原型芯片，成本仅为传统平面NOR的1/3，价位可与NAND竞争，同时还保持NOR的代码运行功能；产品可广泛应用于安防中期产品：高速高密度, 3D原型芯片研发成功，实现单层成本仅为传统NOR 1/3传统NOR闪存的二维设计已经接近物理上的极限，产品可靠性降低、成本攀升，三维化是技术变革趋势。公司的世界首款三维高密度NOR闪存原型芯片兼具传统NOR和NAND两者的优势，大幅降低单位制造成本，使价位可与NAND竞争，同时还保持NOR的代码运行功能，低成本高性能。
Kioxia 铠侠

类型：制造商 产品数量：0

东芝公司于1987年发明了NAND闪存， 2017年4月，铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离，开创了先进的存储解决方案和服务，可丰富人们的生活并扩大社会的视野。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。业务概述KIOXIA Group 是 NAND 闪存的最大制造商之一。1987 年，铠侠发明了世界上第一个不需要电源的 NAND 闪存（非易失性存储器）。我们将继续通过提供 3D 闪存 BiCS FLASH 技术来满足客户的需求，从而提供更大的存储容量和广泛的闪存产品。 SSD (固态硬盘)铠侠的固态硬盘（SSD）产品系列内置BiCS FLASH™ 3D闪存，能为客户端PC、企业级服务器以及存储与云数据中心提供了更为优化的SSD产品与解决方案。
Unim 至讯创新

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产品方案SLC NAND消费级产品产品简介：目前国内最先进2D NAND制程，提供业界最佳成本竞争力，凭借其卓越的成本优势，在满足应用需求条件下帮助客人完成降本增效。 SPI工作电压：1.8V / 3.3V可靠性：数据保持时间10年，编程/擦除周期达60000次，内嵌ECC工作温度范围：-20℃~70℃小型化封装：WSON8（6*8）工业级产品产品简介：目前国内最先进2D NAND制程，通过程序优化，提供更好的读写性能和更高可靠性，满足各类高可靠性应用。不仅如此，与3D闪存相比，2D MLC NAND在中小容量产品上更有可靠性竞争力，可以为设计带来显著的可靠性优势。容量： 4GB/8GB接口：ONFI工作电压：3.3V可靠性：数据保持时间10年，编程/擦除周期：3,000次工作温度范围：-40℃~85℃封装：BGA132 （12*18mm）嵌入式解决方案其他解决方案
YEESTOR 得一微电子

类型：制造商 产品数量：0

17年技术积累和业务拓展，得一微电子建立了固态硬盘存储（PCIe/SATA）、嵌入式存储（UFS/eMMC/SPI-NAND）和扩充式存储（USB/SD）的完整存储产品线。主要产品LDPC IP得一微LDPC是业界领先的一种纠错性能算法，可应用于移动端、消费级和企业级SSD控制器市场，支持各种2D/3D，SLC/MLC/TLC/QLC NAND Flash。 NFC IP产品概述得一微 NFC(NAND Flash Controller) IP 是一种NAND Flash的控制器，用于从NAND Flash中访问用户数据，为存储颗粒控制和数据读写单元，用于实现存储控制芯片与存储颗粒之间的数据交互与管理得一微NFC IP有许多可配置的特性来支持不同的NAND Flash应用需求，已在USB，eMMC和消费级/企业级SSD上都得到了验证。它采用得一微的NVMe 控制器内核和 Alcyone LDPC 纠错内核，可实现支持 1x/1y/1z MLC/TLC 和 3D NAND 的低功耗和经济高效的 SSD 控制器。
SSSTC （Solid State Storage Technology Corporation）

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SSSTC 的产品线包括 3D TLC 和 MLCC NAND 闪存组件，为世界级网络附加存储 (NAS) 系统、VoIP 媒体网关、自助服务亭、工业自动导引车 (AGV) 路由器、工业 PC、交换机、该制造商的 CA3 系列 NVMe PCIe SSD 体现了其在数字存储空间开辟新天地的承诺。高性能组件提供每秒高达 380K/260K 输入/输出操作的 4KB 随机读/写性能。此外，SSSTC 创造了 CA3 系列，并将设计通用性作为优先事项。该产品有 250GB、512GB 和 1TB 系列可供选择，外形尺寸为 80mm x 22mm x 3.65mm，线速为 10GB。这些特性使 CA3 SSD 适合在线事务处理、SQL 日志记录和企业服务器项目。主要产品固态硬盘闪存 – NAND / NORmSATA
Rayson 晶存科技

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FLASH控制器芯片eMMC、DDR3/4、LPDDR4/4X、LPDDR5/5X、eMCP、SSD、内存模组等，覆盖消费级、工规级、车规级存储芯片，广泛应用于智能手机、安卓平板、笔记本电脑、教育电子公司坚持走自主研发路线，持续在NAND Flash控制器技术、FTL管理技术、LDPC纠错技术、低功耗等核心技术领域深入耕耘，提供基于NAND Flash的各类消费类和工规级别的eMMC、UFS、 eMCP 主要产品闪存控制器自主研发eMMC闪存控制器，其具备高性能、高稳定性、低功耗等特性，符合JEDECeMMC V5.1标准协议并向下兼容，支持各种主流 2D/3D SLC/MLC/TLC NAND Flash ，搭载该自研闪存控制器的eMMC产品已通过AEC-Q100车规级存储器认证，消费级嵌入式存储晶存具备完整的存储解决方案能力，推出的消费级嵌入式存储系列芯片涵盖 eMMC、DDR3/4、LPDDR4/4X SSD固态硬盘SSD(固态硬盘)采用NAND闪存，无机械部件，具低功耗、高速读写及卓越耐用性。晶存自产SSD，以最新3D NAND技术，保障产品性能领先，提升竞争力和市场响应速度。
Samsung Semiconductor 三星半导体

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40 纳米级 2Gb DRAM2015 开始量产基于 EUV 的 7 纳米 LPP2016 推出汽车解决方案品牌 Exynos Auto 和 ISOCELL Auto2017 开始量产第 5 代 V-NAND 2010-最近突破极限，改变未来我们不断突破极限，推动行业变革，现已蓄势待发，准备实现下一次的飞跃2010 32nm高介电金属闸极(HKMG: High-K Metal Gate)工艺研发成功；20nm级NAND 闪存量产；2011 30纳米级4Gb移动DRAM量产;推出品牌应用处理器Exynos;2013 3D垂直NAND(V-NAND)存储器开始量产；推出移动 AP Exynos 5 Octa，内置big.LITTLE

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