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Silan 士兰微 三极管
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Silan 士兰微 SJT0302PPN PNP型硅三极管
SJT0302PPN PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造,多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0302PPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级,具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT0302PPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补NPN管:SJT0281NPN。
Silan 士兰微 SJT0281NPN NPN型硅三极管
SJT0281NPN NPN型低频大功率管采用士兰微电子先进的硅平面工艺制造,三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0281NPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级,具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT0281NPN三极管采用TO-3P封装外形。与SJT0281NPN配对的互补PNP管:SJT0302PPN。
Silan 士兰微 SJT718ANPN NPN型硅三极管
SJT718ANPN NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造,三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT718ANPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于汽车音响等音频功率放大器的功率输出级,具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT718ANPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补PNP管:SJT688APPN
Silan 士兰微 SJT688APPN PNP型硅三极管
SJT688APPN PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造,多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT688APPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用于汽车音响等音频功率放大器的功率输出级,具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT688APPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补NPN管:SJT718ANPN。
Silan 士兰微 SJT5198NPN NPN型硅三极管
SJT5198NPN NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造,三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT5198NPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级,具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT5198NPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补PNP管:SJT1941PPN
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