11月7日，三星宣布开始批量生产第8代3D NAND存储器。
新的第8代V-NAND设备具有1Tb容量，以及2400MTps的数据传输速率。三星称其为业界最高的位密度，但没有透露IC的尺寸或实际密度。
三星声称，与现有相同容量的闪存IC相比，其新一代3D NAND存储器的每晶圆生产率将提高20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。。
（JSSIA整理）
11月7日，三星宣布开始批量生产第8代3D NAND存储器。
新的第8代V-NAND设备具有1Tb容量，以及2400MTps的数据传输速率。三星称其为业界最高的位密度，但没有透露IC的尺寸或实际密度。
三星声称，与现有相同容量的闪存IC相比，其新一代3D NAND存储器的每晶圆生产率将提高20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。。
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