半导体材料和器件的研发—传统的半导体和微电子专业
器件和工艺的参数监控—半导体工艺线，生产
器件的建模（Modeling)—半导体器件的设计，集成电路的设计
可靠性和寿命测试—半导体器件可靠性研究
高功率MOSFET，BJT和III-V族器件（GaN，GaAs)的特性分析
纳米器件研究；
光电子器件的研究（LED，OLED等）；
非易挥发性存储器测试—Flash闪存，相变存储器（PRAM），铁电存储器（FeRAM)，阻变存储器（RRAM)等；
有机半导体特性分析
太阳能电池及光伏电池特性分析确定样品的电阻率和Hall载流子浓度
氧化层厚度、栅面积、串联电阻、平带电容、电压、开启电压、体掺杂、有效氧化层电荷密度、
可动电荷、金属-半导体功函数、德拜长度、体电势等。
标准C-V扫描：普通MOSFET，二极管和电容器；
MOScap：测量MOS电容器上的C-V，提取参数包括氧化层电容，氧化层厚度，掺杂浓度，耗尽深度，
德拜长度，平带电容，平带电压，体电势，阈值电压，金属半导体功函数，有效氧化层电荷；
MOSFET：对一个MOSFET器件进行一个C-V扫描。提取参数包括：氧化层厚度，氧化层电容，平带电容，
平带电压，阈值电压，掺杂浓度与耗尽深度的函数关系；寿命：确定产生速度并进行寿命测试（Zerbst图）；
可动离子：使用BTS方法确定并提取平带电压参数确定可动电荷。包括对Hot Chuck热吸盘的控制。
在室温下测试样品，然后加热后测试，然后再恢复至室温下以确定平带漂移电压，从而确定可动电荷；
电容：在金属-绝缘-金属（MIM）电容器上进行C-V扫描和C-f扫描，并计算出标准偏差；