4月8日消息，扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用先进的SGT (Shield Gate Trench MOSFET) 制程工艺，针对电机驱动、BMS等应用设计，优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时，提升MOSFET抗冲击电流能力。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202204/433065.htmN80V-N85V系列MOSFET产品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多种封装形式可以选择。广泛应用于电池管理系统、储能系统、逆变电源系统、电机驱动系统、电源管理系统等，是其核心的功率控制部件。
扬杰科技目前已推出N40V、N60V、N80V-N85V、N100V、N120V等多个SGT工艺系列产品，解决客户的多种应用需求。
产品特点：
1.采用SGT工艺，极低的Rdson和优异的开关特性，带来更低的FOM，减小系统损耗。
2. 和传统Trench工艺比Ciss/Qg参数都有大幅优化，设计MOSFET驱动时有更多选择。
3.针对系统应用中的各种异常工作状态，优化MOS产品EAS特性，提高系统可靠性。
电性参数：
