近日，市场传出，半导体大厂三星电子将在本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND Flash产品研发。
最新消息是，三星电子已于8月19日在韩国京畿道器兴园区举行了下一代半导体研发(R&D)园区动工仪式。
据韩联社报道，该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND闪存、晶圆代工、系统芯片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元(约合人民币1030亿元)。
据悉，这是三星电子自2014年以来时隔8年在国内新建研发中心。三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体质量。