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弘为电子
弘为电子成立于2017年,是一家专业为工业自动化控制和新能源领域提供核心电子零件的代理商和方案提供商。既可提供包括主控IC、 IGBT、光耦、MOSFET等关键的半导体器件,也可提供逻辑、各种二三极管、桥堆等各环节的辅助器件及方案。公司拥有能为客户提供专业、高效、经济的元器件方案技术团队和销售团队,让客户的设计处于业界前沿。在电力电子、UPS、变频器、家电、新能源汽车、光伏逆变器等领域,我们都有成熟和领先的元器件解决方案,其中在变频器、家电领域有较深的影响力。被众多客户授予“优秀供应商”称号!公司代理及分销的产品包括CT MICRO、ON、ST、TI、ADI、NEXPERIA、AVAGO、VISHAY、TOSHIBA、COSMO、EVERLIGHT、SHARP、CJ、WINBOND、FH等。 展望未来,弘为电子始终坚持“诚信为本 互利共赢”的服务宗旨,打造成为电子元器件行业一站式供应链服务的领跑者。
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.236inch(6mm)
    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:15µs,15µs
    安装类型:通孔
    封装/外壳:4-DIP(0.100inch,2.54mm)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:15µs,15µs
    安装类型:通孔
    封装/外壳:4-DIP(0.157inch,4.00mm)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.236inch(6mm)
    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:15µs,15µs
    安装类型:底座安装
    封装/外壳:模块,引线,槽型
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:15µs,15µs
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向 - 4 引线
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:20µs,20µs
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:4-SMD,鸥翼
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.039inch(1mm)
    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:20µs,20µs
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:4-SMD,扁平引线
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.039inch(1mm)
    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:20µs,20µs
    安装类型:通孔
    封装/外壳:4-DIP(0.157inch,4.00mm)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.039inch(1mm)
    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:20µs,20µs
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:4-SMD,鸥翼
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.039inch(1mm)
    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:20µs,20µs
    安装类型:通孔
    封装/外壳:4-DIP(0.157inch,4.00mm)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.039inch(1mm)
    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:20µs,20µs
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:4-SMD,鸥翼
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.039inch(1mm)
    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:20µs,20µs
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:4-SMD,扁平引线
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.236inch(6mm)
    感应方法:穿透光束
    输出配置:晶体管
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    响应时间:15µs
    工作温度:-25°C ~ 85°C
    安装类型:通孔
    封装/外壳:开槽模块
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.197inch(5mm)
    感应方法:穿透光束
    输出配置:光电晶体管
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    响应时间:15µs
    工作温度:-25°C ~ 85°C
    安装类型:通孔
    封装/外壳:开槽模块
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.157inch(4mm)
    感应方法:穿透光束
    输出配置:光电晶体管
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    响应时间:15µs
    工作温度:-25°C ~ 85°C
    安装类型:通孔
    封装/外壳:开槽模块
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:15µs,15µs
    安装类型:通孔
    封装/外壳:4-DIP(0.100inch,2.54mm)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应距离:0.063inch(1.6mm)
    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:15µs,15µs
    安装类型:通孔
    封装/外壳:模块,PC 引脚,槽型
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    感应方法:反射
    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA
    输出类型:光电晶体管
    响应时间:15µs,15µs
    安装类型:通孔
    封装/外壳:4-DIP 模块
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    波长:940nm
    频谱范围:730nm ~ 1100nm
    二极管类型:引脚
    响应时间:10ns
    电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):32 V
    电流 - 暗(典型值):10nA
    工作温度:-40°C ~ 85°C
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:4-SMD,无引线
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    波长:940nm
    频谱范围:400nm ~ 1100nm
    二极管类型:引脚
    响应时间:10ns
    电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):32 V
    电流 - 暗(典型值):10nA
    工作温度:-25°C ~ 85°C
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:4-SMD,无引线
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    波长:940nm
    频谱范围:840nm ~ 1100nm
    二极管类型:引脚
    响应时间:45ns
    电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):170 V
    电流 - 暗(典型值):5nA
    工作温度:-40°C ~ 85°C
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    波长:940nm
    频谱范围:840nm ~ 1100nm
    二极管类型:引脚
    响应时间:6ns
    电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):170 V
    电流 - 暗(典型值):10nA
    工作温度:-25°C ~ 85°C
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向,T-1 透镜
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    波长:940nm
    频谱范围:400nm ~ 1100nm
    二极管类型:引脚
    响应时间:6ns
    电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):170 V
    电流 - 暗(典型值):10nA
    有效面积:9mm²
    工作温度:-25°C ~ 85°C
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    波长:940nm
    频谱范围:840nm ~ 1100nm
    二极管类型:引脚
    响应时间:45ns
    电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):170 V
    电流 - 暗(典型值):5nA
    有效面积:2.03mm²
    视角:80°
    工作温度:-40°C ~ 85°C
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    波长:940nm
    频谱范围:400nm ~ 1100nm
    二极管类型:引脚
    响应时间:45ns
    电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):170 V
    电流 - 暗(典型值):5nA
    有效面积:19.6mm²
    视角:80°
    工作温度:-25°C ~ 85°C
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    波长:940nm
    频谱范围:730nm ~ 1100nm
    二极管类型:引脚
    响应时间:6ns
    电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):32 V
    电流 - 暗(典型值):10nA
    工作温度:-25°C ~ 85°C
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:2-SMD,无引线
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