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弘为电子
弘为电子成立于2017年,是一家专业为工业自动化控制和新能源领域提供核心电子零件的代理商和方案提供商。既可提供包括主控IC、 IGBT、光耦、MOSFET等关键的半导体器件,也可提供逻辑、各种二三极管、桥堆等各环节的辅助器件及方案。公司拥有能为客户提供专业、高效、经济的元器件方案技术团队和销售团队,让客户的设计处于业界前沿。在电力电子、UPS、变频器、家电、新能源汽车、光伏逆变器等领域,我们都有成熟和领先的元器件解决方案,其中在变频器、家电领域有较深的影响力。被众多客户授予“优秀供应商”称号!公司代理及分销的产品包括CT MICRO、ON、ST、TI、ADI、NEXPERIA、AVAGO、VISHAY、TOSHIBA、COSMO、EVERLIGHT、SHARP、CJ、WINBOND、FH等。 展望未来,弘为电子始终坚持“诚信为本 互利共赢”的服务宗旨,打造成为电子元器件行业一站式供应链服务的领跑者。
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):50 nA
    波长:940nm
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:1206(3216 公制)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):50 nA
    波长:940nm
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:1206(3216 公制)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:侧视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:1206(3216 公制)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:2-SMD,鸥翼
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:径向,5mm 直径(T 1 3/4)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:径向,5mm 直径(T 1 3/4)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔
    方向:顶视图
    工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:径向,5mm 直径(T 1 3/4)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:1210(3225 公制)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔
    方向:顶视图
    工作温度:-40°C ~ 85°C
    封装/外壳:径向,5mm 直径(T 1 3/4)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔
    方向:侧视图
    工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:径向 - 3 引线
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔
    方向:侧视图
    工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:径向 - 3 引线
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    封装/外壳:2-PLCC
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:2-PLCC
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔
    方向:侧视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:径向,侧视图
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔
    方向:侧视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:径向,侧视图
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:轴向,扁平引线
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:2-SMD,鸥翼
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:2-SMD,轭形弯曲
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:通孔
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:轴向
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:2-SMD,鸥翼
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔,直角
    方向:侧视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:径向,侧视图
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔,直角
    方向:侧视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:径向,侧视图
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:940nm
    安装类型:通孔,直角
    方向:侧视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:径向,侧视图
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