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  • Silan 士兰微 SVT035R5NSA 低压MOS功率管

    SVT035R5NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG105R4NT(S) 低压MOS功率管

    SVG105R4NT(S)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10170ND(T) 低压MOS功率管

    SVG10170ND(T)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG105R0NL5 低压MOS功率管

    SVG105R0NL5   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVT03380PSA 低压MOS功率管

    SVT03380PSA   P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10111ND 低压MOS功率管

    SVG10111ND  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10111NA6 低压MOS功率管

    SVG10111NA6  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG15670NSA 低压MOS功率管

    SVG15670NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SFR30F120EP2(T2) 快速恢复二极管

    SFR30F120EP2(T2)一款超快恢复二极管器件,采用了先进的硅外延平面工艺制作,在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计,使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间。精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标。该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级,同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。
  • Silan 士兰微 SFR30F60PN(FA)(S) 快速恢复二极管

    SFR30F60PN/FA/S一款超快恢复二极管器件,采用了先进的硅外延平面工艺制作,在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计,使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间。精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标。该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级,同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。
  • 普瑞姆赛斯 PSI60A-N5板载电流传感器 其它集成电路

    PSI60A-N5板载电流传感器 准确度0.01%、0.05% 因其特殊的产品特性: 具有高精确度、高线性度、高集成度、体积小结构简单、长期工作稳定、原副边之间高度绝缘且适应各种工作环境的特点。 广泛应用于光伏、风电、变频器、电源等电流检测系统中。
  • 芯进电子 CC6920 电流传感器

    精度高、温漂小、阶跃响应时间快、抗冲击电流强。
  • 芯进电子 CC6921 电流传感器

    精度高、温漂小、阶跃响应时间快、抗冲击电流强;
  • 珠海多创 MIT-V001 电压传感器

    TMR电压传感器MIT-V001基于TMR磁阻效应技术开发,原边电压通过原边电阻转换为原边电流,原边电流通过TMR转换为副边电压,通过闭环方式达到磁通量相平衡,副边电压便能精确地反应原边电压。能在原、副边完全隔离的条件下测量交、直流电压。
  • 兴感半导体 SC824/5 电流传感器

    兴感半导体 SC824/5 电流传感器
  • 兴感半导体 SC844/5 电流传感器

    兴感半导体 SC844/5 电流传感器
  • 兴感半导体 SC8450/60 电流传感器

    兴感半导体 SC8450/60 电流传感器
  • 兴感半导体 SC7804/34 电流传感器

    兴感半导体 SC7804/34 电流传感器