半导体、光电器件及新材料研发领域，高温环境下的精准电学与光学测量是突破技术瓶颈的关键。传统设备往往难以兼顾高温稳定性、高精度测量与大尺寸样品支持。
HTM系列高温探针应运而生，以极限性能为高温测试树立全新标杆。
TH-高温探针台
核心优势：
高精度电流探测全系列标配10pA级低频电流测量精度，可捕捉器件在高温下的微弱电流信号，为纳米级器件和低功耗芯片研发提供关键数据支撑。
高频宽频带覆盖
DC - 1100GHz高频测量范围，完美匹配5G/6G通信芯片、太赫兹器件及高速集成电路的极端测试需求。
大功率处理能力
支持10kV/1500A超高功率测试，满足IGBT、SiC MOSFET等功率半导体在高温满载工况下的可靠性验证。
多光谱联测与灵活扩展集成紫外/可见光/红外光谱测量窗口，同步实现电学与光电特性分析；深柱式针座设计支持10-12个探针协同工作，复杂电路测试效率倍增。
TH-高温探针台
详细参数
温控精度
采用三闭环温控系统（PID+模糊算法+红外校准），在1200℃高温下仍保持±0.2℃稳定性，远超行业±2℃标准。
零振动测量磁悬浮主动减振底座 + 气动隔震平台双级防护，高频测试环境振动能量衰减40dB，保障1100GHz太赫兹测量精准度。
智能安全防护
电弧实时监测模块：微秒级切断高压
温度梯度预警系统：自动调节加热区域
惰性气体联动保护：氧含量>50ppm自动充气
高温探针台-详细参数
应用领域
宽禁带半导体极限测试
碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率器件在200℃以上高温环境中，需通过10kV/1500A大电流测试验证动态特性，HTM系列提供安全稳定的测试环境。
高频通信芯片特性分析
5G毫米波、太赫兹芯片在1100GHz频段下的高温散射参数（S参数）测量，助力提升高频器件服役可靠性。
新型光电器件研发
钙钛矿太阳能电池、Micro-LED芯片在紫外-红外光谱响应测试中，同步完成光电转化效率与I-V特性分析。
晶圆级可靠性验证(WLR)
12英寸平台支持全晶圆高温老化测试，快速定位热失效点，大幅缩短产品上市周期。